你(们)好。
如 TPS51220A 数据表中所述、确定 CO 需要 RGV
现在、确定 RGV 需要 Vdroop。 但是、我不知道如何获得 Vdroop。
请给出建议。
谢谢!
此致、
许耀明
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您好、Edwin、
感谢您的解释。 下面还有两个问题。
1.驾驶能力
我的客户在高侧和低侧并联使用2个 MOSFET。 如何知道 TPS51220A 是否能够驱动 FET?
是否有任何系统的方法来计算此值?
2.过流限制
我使用 eq 得到的结果。 (20)与下面所附的 TPS5122x 计算工具中的不同。
此外、OCL 值也会随输入电压的变化而变化、与 eq 不匹配。 (20)。
您能否告诉我、计算 OCL 值的正确方法是什么?
谢谢!
此致、
许耀明
Roy、您好!
1、在 MOSFET 数据表中、您可以找到 Qg 总计。
在 TPS51220A 数据表 EC 表中、您可以找到 DRVH/DRVL 电阻。
因此、您可以 使用以下公式计算开关上升时间和下降时间:
5/DRVH 电阻器*t= n* qg。
N 是 MOSFET 的数量。
如果上升时间/下降时间约为10ns -20ns。 没关系。
2、请按照数据表计算 OC 值。
此致
Edwin。
Roy、您好!
1、您应该使用 Qg (tot)。 MOSFET 完全打开、直到它为 Qg (总计)充电。
2、实际上、不同 Vin 下的 OCL 值差异很小。 我们可以忽略它。 如果您想知道、 我可以尝试通过电子邮件向您解释。
是的、我们仍然使用它作为参考。
我的电子邮件是 edwin-zang@ti.com
此致。
Edwin。