[参考译文] SM72295：SM72295：有关 SM72295实施和设计审查的更多问题

Nicholas、您好！

很抱歉耽误你的回答。
与设计人员交谈后、使用 MSP430在两个边沿上生成死区时间似乎存在问题。 在该设计中、没有其他简单的方法可以获得所需的死区时间。 因此、我们依靠 RC 时间延迟和 SM72295的 Vth 来获得所需的死区时间。 因此、RC 值必须保持在原理图中指定的值。 任何额外的输入电阻都将产生额外的延迟、这将对电路的运行产生不利影响。 如果 uC 无法设置死区时间、则如果驱动 HI 和 LI 的器件具有偏斜的驱动强度(灌电流>拉电流)、则纯电容滤波器可能会起作用、因为死区时间取决于这些参数。

实现最小 LO 导通时间–在线可用材料极少。 一般而言、开启 HO 所需的电荷(总栅极电荷)必须在最小 LO 开启时间内传递到 Cboot 中。 影响这一点的因素包括：
1)1)自举二极管的速度、尤其是正向恢复时间。
2) 2)限流电阻器 Rboot 的值(未使用)。
3) 3)从 CVCC 到 Cboot 和返回(PCB 布局)的电流环路的电感、因为自举充电是高频率 过程。

要找出这一点、第一步是确定保持 HO 导通和 HB-HS UVLO 关断所需的最小 Cboot。 Cboot =(Qg_total)/(V_HB-HS_UVLO)或0.47uF。 由于您的 FET csd18502q5b 的总栅极电荷为~82nC@12V、因此每次 MOSFET 导通时、该电荷都必须由 Cboot 提供。 在稳定状态下、这也是必须从 Cvcc 重新进入 Cboot 的电荷。

您应该为 MOSFET 栅极充电至至少10V，因此我们假设这是 LO 打开时 Cboot 上的电压。 Cboot 上的电压变化为 Qg_tot/Cboot 或82nC/0.47uF 或0.174V ->我们需要至少将 Cboot 充电至10.174V 以再次打开 HO。 假设 dboot 上出现1V 压降、并且由于没有 Rboot、因此从12VCC 开始、大约有2V 电压可用于 Cboot 的初始充电。 使用12V 电源时、电容器从10V 充电至10.174V 所需的时间量可通过电容器两端电压随时间变化的公式来计算：
Vcap = Vsupply +(Vo–Vsupply) e^-t/Rboot*C_boot
求解 t 得出：
t=- Rboot*C_boot*ln (Vcap-Vsupply/(Vo-Vsupply)
其中 Vo=10V、VCAP=10.174V、Vsupply=12V、Rboot=1 (简单)和 Cboot=0.47uF

此公式可得出~43ns、以便通过时间常数为0.47us 的12V 电源在10V 至10.174V 范围内为 Cboot 充电
注意：Cboot 越小、再充电所需的时间就越长、这是不直观的、因为电容器越小、电容器向 FET 放电的速度就越快、因此电压也就越快。

您需要考虑的主要因素是功率级需要什么占空比才能提供所需的输入/输出转换比。 这将为您设置 Dmin。 让您确保可以在可用时间内补充 Cboot。

请告诉我这是否能解答您的问题。
谢谢、

Nicholas、您好！

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