[参考译文] UCC27714：8.2.2.3选择 VDD 旁路/保持电容器(CVDD)和 Rbias

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器件型号：UCC27714

"选择的 VDD 电容(CVDD)应至少为 CBOOT 的10倍。 µF 本设计示例、选择了1 μ F 电容器。

CVDD >= 10 x Cboot = 1uF

(7)Ω µs 一个与偏置电源和 VDD 引脚串联的5k Ω 电阻器 RBIAS、以使 VDD 斜升时间大于50 μ s、从而防止输出端出现误差逻辑误差尖峰、如图55所示"

问：使用5R Rbias 电阻和1uF Cboot 电容使 Vdd 斜升时间大于50us，使用了什么公式？我使用方程式"t = Rbias X Cboot"= 5us.Where Am I 出错。

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2490895 points

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您好、Eddie、

感谢您的提问。我是高功率驱动器团队的应用工程师、将帮助您解决这个问题。

用于计算电容斜升时间的公式如下：

Vo = VDD*(1-e^(-t/RC))

如果您插入 t=RC、则会看到 VDD 电容在5us 内仅充电至 VDD 的63.2%。

该公式在 t 上升时渐近 Vo=VDD、但从未完全达到该值。作者似乎选择了 t=10*rc 的时间作为"VDD 上升时间"。如果您将其重新插入公式中，10*RC 数字允许 VDD 电容在50us 内充电至 VDD 的99.995%。

使用此设备时，应确保使用 CVDD/Rbias 组合，其中10*RC =>50us。

如果这回答了您的问题、您可以按绿色按钮吗？否则、请随时提出任何后续问题。

此致、
John

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