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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/674923/lmg5200-minimal-off-time-for-upper-fet-to-recharge-the-bootstrap-c
您好 TI
上部 FET 为自举 C 充电所需的最短关断时间是多少？
要计算此值、我需要电荷路径的内部 R、因此我可以计算电荷电路的 RC 时间常数。 我将使用手册中建议的0.1uF 自举 C。
此致
击败罗纳
您好、您好、
如数据表中所述、UVLO 的下降沿滞后为200mV。 因此、我不会对压降感到太担心。 此外、1V VDH 和3.9V (典型值3.2V)、 V_HBR 最大值均为最大值 电流为100mA。 我怀疑在使用 GaN 时您是否会有这样的电流。 但总体而言、这是极端情况、我们尚未观察到 LMG5200开关的问题。
2。用于最大 您可以使用数据表中的公式(2)来计算占空比。 您还可以使用更小的自举电容器来降低 RC 常数、以便为电容器充电。
如果您真的要达到极限占空比、另一个建议是采用类似于"突发模式"的设计、其中您在500kHz 时具有接近1个占空比、但每隔一定的周期打开低侧 FET 的时间更长。 这可以帮助您维持自举电压。
谢谢、此致、
连
您好、
只需澄清一下、上升沿最大值为3.9V、下降沿最大值为低于此值的典型值0.2V。 因此、如果它在某个时间点的电压高于3.7V、那么它通常仍应在低至3.7V 的电压下工作。
您的自举电流计算看起来正确、但您的二极管压降计算错误。 数据表中指定的1V 二极管压降与动态电阻在100mA 下测量、因此比该值高22mA。 因此、您的电压比数据表上的1V 高0.022*2.8=0.0616V、或二极管上的总压降1.0616V。 因此、目前最坏的情况下、您的电压降至3.94V。
此外、您的转换器上是否具有最小负载？ 您的死区时间是多少？ 当低侧 FET 导通时(仅适用于降压型转换器)，最小负载将有助于向下推开关节点，并增加自举电压(大约为 IL*Rdson)。 死区时间期间的导通也会有所帮助、但更难以量化。
如果这种情况不起作用(可能是由于电源变化或其他原因)、您可以小心地将外部二极管(甚至肖特基二极管)作为自举二极管、这有助于自举电压保持上升、 但是、您有责任确保高侧自举电压不会过充。 放置一个外部自举二极管将会破坏内部自举电压钳位机制。 或者、LMG1210驱动器+外部 FET 具有更灵活的自举配置、但限制较小。
此致、
Nathan
是的、您的二极管压降计算正确。
如果使用外部自举二极管、则可以使用正向压降较低的肖特基二极管、从而放宽限制。 但是、LMG5200中的 HB-HS 钳位通过在自举电压达到高电平时禁用自举二极管来工作。 无法禁用外部自举、因此您可以通过放置外部自举二极管来移除内部 HB-HS 电压钳位。 因此、在这种情况下、您必须提供自己的钳位(可能使用并联5V 齐纳二极管或类似器件)。
在 HB-HS 引脚之间施加5V 电位是为高侧供电的一种很好的方法、但这通常涉及产生一个接地电容较低的隔离式高侧电源。 这通常比其他方法更大且更昂贵、因此除非绝对需要、否则很少执行此操作(例如、如果您希望能够以100%占空比打开高侧、则需要执行此操作)。
谢谢、
