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[参考译文] LM5050-1：LM5050-1功能问题

admin
Guru**** 2491115 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1, LM5060

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/703450/lm5050-1-lm5050-1-function-question

器件型号：LM5050-1
主题中讨论的其他器件： LM5060

1.宽工作输入电压范围，VIN：1V 至75V (VIN < 5V 时需要 VBIAS)：VBIAS 指 VS 引脚需求？？
2.对电流反转的快速50ns 响应：输出反向电流反向输入保护？？？？
关断引脚通过 OR 门、如何控制 MOSFET 开/关功能？？？？？(第12页)

4.VS 引脚外部电阻器固定为100欧姆： 使用较大电阻器是否存在缺点？ 或其他副作用？？？？

5. MOSFET 选择： 通常选择低 RDS (on)。 此 IC 规格内容不一定使用低 RDS (on)、但也涉及热点问题。
                  建议如下(22mV/ID)≤RDS (ON)≤(100mV/ID)内容不是很清楚、可以解释为什么不选择低 RDS (ON)机制？

6.
a： 可在反向输入电压保护中进行如下解释、只要不需要 LM5050-1的功能、就可以通过关闭 Q2来断开 LM5050-1的电源、这意味着关闭 IC？
b.以下电路可以解释开/关控制 D2 D3 Q2 环路和功能运行
c.为什么 IC GND 引脚不需要连接到地 GND？？？

7. 不理解、在 IC 参考 GND 时使用 D3？？？ 可以详细说明其功能

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    TI__Guru**** 2491115 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你(们)好

    VBIAS 指 Vs 引脚。 Vs 引脚可连接到 VIN <5V 时的独立电源。
    2.反向比较器在检测到反向电流(输出到输入、可能是由反向输入极性或 ORing 电源导致)后、可实现50ns 的快速响应。 当反向电流开始从 OUT 流向输入时、反向比较器通过测量 IN-OUT 两端的电压来感应反向电流。 并通过2A 强度的内部 MOSFET 将栅极连接到 IN、从而关闭外部 MOSFET。
    3.是的，当 IC 被禁用时，外部 MOSFET 的体二极管通过电流。 要切断电源路径、需要使用背对背 FET。 LM5050无法驱动两个背靠背 FET。 因此、建议使用 LM5060和额外的 MOSFET 来实现电源路径截止。
    4. VS-Pin 的电阻较大不是问题，但不应太大>10k。 您计划使用哪种电阻器值？

    今天、让我回顾一下其余的问题。


    此致、
    Kari。
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    TI__Guru**** 2491115 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你(们)好

    5.选择 MOSFET：通常选择低 RDS，但不应太低，这意味着更大的尺寸和更昂贵的成本。 LM5050-1是 MOSFET 上 VDS 的线性稳压至22mV、即 MOSFET 的栅极受到控制、因此在大多数负载电流中保持22mV。 这具有在反向电流或反极性情况下更快关断的优势、并可在电源 ORing 期间实现平滑切换。
    MOSFET 的大小取决于调节阈值。 精确地说、Rdson = 22mV/I_Nominal、这取决于大部分时间流动的标称电流。 选择大于此值的 MOSFET 意味着 Rdson 更低、这意味着 MOSFET 接近栅极的 Vth、并且未完全增强。 接近 Vth 的运行意味着、有可能会出现轻负载振荡。 Rdson 的选择值约为22mV/I_Nominal。

    6.反向输入电压保护、IQ 降低：当 Q2关断时、LM5050-1 IC 未通电、无 GND 连接。 因此 IC 将关闭。 Q2被要求用来减少流经 IC 的 IQ 电源电流。 当 Q2关断时、它会将 IC GND 从接地 GND (系统 GND)断开。 此电路通过开/关控制启用。 当控制关闭时、整个电路处于低 Iq 状态、并且由于缺少 GND 连接而禁用(未供电) LM5050-1。

    7.使用 D3：反向输入或反极性保护需要 D3。 假设施加了反向输入电压、现在如果 D3不在那里、则有一条电流从 GND 到 IN->IN 的路径、这实际上会将输入短接至 GND、而巨大的电流可以从 GND-IN 流过。 D3会阻止该反向输入并保护 IC 和下游电路。


    此致、
    Kari。