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器件型号:TPS92518HV 请注意此波形:
上面显示的信号是 PMOS FET 到电感器的输入。 TOFF 设置为4。 探头为10X、我忘记将其设置为10X、因此左侧的刻度为/10。
其他相关设置:L = 390 μ H。 Rsense = 0.2欧姆1%。 双1uF 输出电容器已从评估板上移除。 Imax 设置为255。 二极管负载约为53.6伏、Vin 为57.5伏。 (输入电压和负载电压是我必须满足的不可协商硬规格、所有其他参数和值都是公平的。)
晶体管几乎处于饱和状态、一半的时间需要很长时间才能使输出电流达到 Imax。 另一半的时间 Imax 到达得非常快。
这种行为对我来说似乎是可恶的。
问题:
1.这种行为是否应该发生? 如果不是、是否有办法解决它?
2、平均频率仍在器件容差范围内、但背靠背脉冲的频率太高。 即使是可恶的行为、从设计角度来看、这种行为是否正常? 换言之、我是否损坏了像这样运行它的器件?
这将导致纹波高于所需值(我尝试将纹波降至50mA)、我真的希望能够将频率降至800KHz 左右。 使用该双脉冲时、纹波几乎将加倍、即使我将平均频率设置为800KHz。