主题中讨论的其他器件: CSD13381F4、 TIDA-00792、 TIDA-00449
尊敬的工程师:
我想在 TI 的应用报告中确认一些设计。
1.我想确认 N-MOS 可以用作 BQ76940的外部平衡 MOSFET (14S 电池)
(参考 :http://www.ti.com/lit/df/tidrqy7/tidrqy7.pdf)另一份应用报告还指出、可以使用 N 沟道平衡 FET、也可以作为首选。(如 http://e2e.ti.com/support/power_management/battery_management/f/1002/t/673355和应用报告 http://www.ti.com/lit/an/slua749a/slua749a.pdf 中所述)。
2.如果 N-MOS 适用,我需要一些建议,说明要使用哪一个 N-MOSFET 来降低泄漏电流。 以下是我的要求。 我的电池最大电压为4.2V、最小电压为2V、最大总电压为60.2V (14S)、平衡电流为16~20mA (我知道 CSD13381F4是其中之一。 但我认为它将过大)、预期泄漏电流<= 100nA。
3.我想知道如何降低源极跟随器的功耗、如下所示、而不会通过内部线性稳压器驱动过多的功率耗散。 我的要求是50mA ~ 10mA。
添加电阻器、选择右侧以放置如下所示的二极管对、或选择合适的 MOSFET (泄漏电流仍然是一个问题。) 非常感谢。
非常感谢。
期待您的回复!
此致、
Matthew Cheng