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[参考译文] BQ25700A:BQ25700Using 问题

Guru**** 2381070 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17551Q3A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/696187/bq25700a-bq25700using-problem

器件型号:BQ25700A
主题中讨论的其他器件:BQ25700CSD17551Q3A

大家好、

我的一位客户在设计中使用 BQ25700时遇到问题、问题如下所示:

电感器和电感器范围内的铜 会严重产生热量! ℃,、温度可在30分钟内达到60 μ H 的工作温度。我的充电电流为1.3A μ A、电感值为2.2uH。原理图如下:

PCB 设计基于 BQ25700EVM、且布线宽度为80mil。您能帮我找到发热的库吗?

此外、为什么开关信号波形不是方波?

期待您的回应! 非常感谢!!!

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    您好!

    ℃我检查充电电流为1.3A 时达到60 μ A 时的效率。
    将效率与数据表效率曲线进行比较是否合理?
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    您好!

      我已经检查了我的电子负载设计的效率。 E-load 连接到 VSYS。 我将电子负载电流设置为0.1A 至1.5A (每步0.1A)、并使用万用表测量适配器电流。  结果如下所示。 ℃内核温度仅为45 ̊ C (不充电)、但效率毫无意义。请帮助我 找到  发热的原因、如果 您需要了解更多详细信息、可以发送电子邮件 zhangyan@kingrich.com.cn.Than。

    电子负载电流(A) 适配器输入电流(A) MCU消耗电流 μ A 芯片效率 μ A 板卡上损耗(W) 备注 μ A
    0.1. 0.141. 0.03% 0.900900901 0.231 电源适配器输入12V,VSYS输出到电子负载的电压也为12V μ A
    0.2. 0.246. 0.03% 0.925925926 0.291.
    0.3. 0.357 0.03% 0.917431193 0.423
    0.4. 0.463 0.03% 0.923787529 0.495
    0.5. 0.583 0.03% 0.904159132 0.735
    0.6. 0.685 0.03% 0.916030534 0.759.
    0.7. 0.791 0.03% 0.919842313. 0.831
    0.8. 0.903 0.03% 0.916380298 0.975
    0.9. 1.015. 0.03% 0.913705584 1.119
    1 1.125. 0.03% 0.913242009 1.239
    1.1. 1.237 0.03% 0.911350456 1.383.
    1.2. 1.354. 0.03% 0.906344411 1.587
    1.3. 1.473 0.03% 0.900900901 1.815.
    1.4. 1.593 0.03% 0.895713372 2.055
    1.5 1.714 0.03% 0.890736342 2.307.

    此致、

    张燕。

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    Yan、

    输入电压为12V、系统电压为12V 时、效率为91%。

    对于2.2uH 电感器、R45应为137k Ω、而不是150kHz。 IADBT 引脚电阻器指示电感器值。

    您是否测量 SW1或 SW2?

    您能否缩小开关节点波形? 我想知道它是 PFM 或 PWM。

    您是否还可以放大开关节点、以查找 负载为1.3A 时的下降沿和上升沿时序? 我希望下降时间和  上升时间能够少于20ns。

    在相同条件下、EVM 效率是多少?

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    锂离子电池

      我在相同条件(VSYS 12V、E-LOAD 0.1A 至1.5A)下测量了 EVM (BQ25700EVM-732)效率、结果如下所示。

      我还捕获了 EVM 和布局的开关节点波形。 结果位于插入的文件中。 但我不知道您是否可以下载该文件。 根据波形、与 EVM 相比、我的布局的上升沿或下降沿时间增加了一倍(甚至更糟)。 此外、SW2\LODRV2\HIDRV2节点波形不是方波。

      感谢您的建议。 我已经将 R45更改为137K。 期待您的回复。

    电子负载电流(A) 适配器输入电流(A) MCU消耗电流 μ A 电源效率 μ A 板卡上损耗(W) 备注 μ A
    0.1. 0.111 0 0.900900901 0.132 电源适配器输入12V,VSYS输出到电子负载的电压也为12V μ A
    0.2. 0.216 0 0.925925926 0.192
    0.3. 0.324 0 0.925925926 0.288
    0.4. 0.43. 0 0.930232558 0.36.
    0.5. 0.532 0 0.939849624 0.384
    0.6. 0.645 0 0.930232558 0.54.
    0.7. 0.756 0 0.925925926 0.672
    0.8. 0.869 0 0.920598389 0.828
    0.9. 0.975 0 0.923076923 0.9.
    1 1.086 0 0.920810313 1.032.
    1.1. 1.198 0 0.918196995 1.176.
    1.2. 1.31. 0 0.916030534 1.32.
    1.3. 1.425 0 0.912280702 1.5
    1.4. 1.532. 0 0.91383812 1.584.
    1.5 1.648. 0 0.910194175 1.7776

    e2e.ti.com/.../_E26C625FF95BD46B_.docx

    此致、

    张燕

    信号
    BQ25700EVM-732
    我的布局
    SW1
    SW2
    LODRV1
    LODRV2
    HIDRV2
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    Yan、

    开关波形在您的电路板上很慢。 这可能会导致效率低下。 对于此类小电流应用、我们可以选择具有20m Ω RDS_ON FET 的较低 CG、以提高效率。
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    Li、

    我选择的 NMOS 与 EVM CSD17551Q3A 上使用的 NMOS 相同。 CG(Qg?)和 RDS_ON 都非常低。

    突出显示的线路是电路板上的开关节点信号(与开关节点信号串联的电阻为0欧姆)、如下图所示。 我的布局对开关节点信号有如此大的影响?还有哪些因素可能对 信号的上升/下降沿产生影响?

    谢谢! 期待您的回复。

    此致、

    张燕

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    Yan、

    是2层电路板吗? 实际上、我不能在布局上说任何错误。 我使用了4层板来执行 EVM。 很难使用4层布局经验来指导2层电路板布局。