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[参考译文] BQ78350-R1:有关此 TRM 说明"用于电流保护的3.1.4 FET 操作选项"

Guru**** 2489685 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ78350-R1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/700557/bq78350-r1-question-about-this-trm-description-3-1-4-fet-action-options-for-current-protections

器件型号:BQ78350-R1

你(们)好   

我们和我们的客户正在检查此器件规格。

但我们 对此描述有一些疑问。

用于电流保护的3.1.4 FET 操作选项
bq78350-R1提供了在放电过流(OCD)期间关闭 CHG FET 的选项、
放电锁存器过流(OCDL)、过载(AOLD)、过载锁存器(AOLDL)或中的短路
放电(ASCD)、放电锁存器短路(ASCDL)故障或中的 DSG FET 过流
充电(OCC)故障。
对于 OCD、OCDL、AOLD、ALDL、ASCD、 和 ASCDL 故障
设置了保护配置中的[DC_CHG_OFF]。
设置 Protection Configuration 中的[CC_DSG_OFF]时、DSG FET 将针对 OCC 故障关闭。

[ 问题]  

 CHG_FET 和 DSG_FET 的说明是否与之相反?

 例如   

  DSG FET 将因 OCC 故障而关闭.....   我们认为 OCC 是过充电电流。

     在放电过流(OCD)期间关闭 CHG FET、……   OCD 正在放电。  

 TRM 的描述是否真的正确?

我们需要创建控制软件、但我们感到困惑。 

您能告诉我们这是正确还是不正确?


谢谢、尊重
匹配贾斯珀(Sugimoto)



  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、三月、
    3.1.4中的描述是正确的。
    当发生放电电流保护事件时、DSG 输出(FET)将关断。 参数中的选择是 CHG FET 也应关闭还是保持开启。 默认情况下、CC_DSG_OFF 为0、充电 FET 将在放电电流故障期间保持导通状态。 如果设计人员还想关闭充电 FET、请将该位设置为1。
    同样、当存在充电电流故障时、CHG FET 将关断。 默认情况下、DC_CHG_OFF 位为0、因此监测计将使 DSG FET 保持开启状态。 如果设计人员还想关闭放电 FET、请将该位设置为1。
    关闭与保护功能相对的 FET 可防止电流反向。 选择故障恢复选项时、请考虑这一点。
    有一个拼写错误、3.1.4中描述的 CC_DSG_OFF 位在3.1.1节表中显示、位描述为 CC_CHG_OFF。 我将在以后的修订中将其标记为更正。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你(们)好

    非常感谢您的回答。
    我理解这个。


    谢谢、尊重
    贾斯珀(Sugimoto)