[参考译文] CSD25481F4：击穿电压栅极-源极

卡盘、

感谢您发帖。

回答您的问题：
(a)栅极保护二极管是齐纳二极管还是雪崩(当然是低电流)功能器件？
它是一个具有雪崩能力的垂直二极管等齐纳二极管。 CSD25481F4栅极钳位二极管能够提供拉电流，规格见数据表首页，对于该器件，其最大电流为35mA，脉冲电流为350mA。
(二)当我测量 Vgs 击穿时，我是测量二极管击穿还是氧化物击穿？
栅极钳位 二极管击穿。
(c)如果我测量二极管击穿、栅极氧化物的近似击穿是多少？
 钳位二极管击穿设置为低于氧化物值、如果没有钳位二极管、则氧化物的额定值为~16V

请参阅下面的我的后续操作。 回答从根本上回答了我的问题、但我只需要澄清前面提到的16V Vgs 额定值。 我只需要知道16V 是氧化物的典型击穿电压、还是上面提到的16V 是 MOSFET Vgs 的额定值电压(因此氧化物击穿电压会更高)。 谢谢。