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[参考译文] CSD25481F4：击穿电压栅极-源极

admin
Guru**** 2501925 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD25481F4

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/703384/csd25481f4-breakdown-voltage-gate-source

器件型号：CSD25481F4

我在250uA 下测量的栅极-源极击穿电压为~ 13.76V。 栅极额定值为12V。  

(a)栅极保护二极管是齐纳二极管还是雪崩(当然是低电流)功能器件？

(二)当我测量 Vgs 击穿时，我是测量二极管击穿还是氧化物击穿？

(c)如果我测量二极管击穿、栅极氧化物的近似击穿是多少？  

谢谢

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    TI__Guru**** 2501925 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    卡盘、

    感谢您发帖。

    回答您的问题：
    (a)栅极保护二极管是齐纳二极管还是雪崩(当然是低电流)功能器件？
    它是一个具有雪崩能力的垂直二极管等齐纳二极管。 CSD25481F4栅极钳位二极管能够提供拉电流，规格见数据表首页，对于该器件，其最大电流为35mA，脉冲电流为350mA。
    (二)当我测量 Vgs 击穿时，我是测量二极管击穿还是氧化物击穿？
    栅极钳位 二极管击穿。
    (c)如果我测量二极管击穿、栅极氧化物的近似击穿是多少？
     钳位二极管击穿设置为低于氧化物值、如果没有钳位二极管、则氧化物的额定值为~16V
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    TI__Guru**** 2501925 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Chris、谢谢。 是16V 氧化物额定值氧化物击穿电压、还是 Vgs 额定值、通常小于氧化物击穿电压。 ？
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    TI__Guru**** 2501925 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    请参阅下面的我的后续操作。 回答从根本上回答了我的问题、但我只需要澄清前面提到的16V Vgs 额定值。 我只需要知道16V 是氧化物的典型击穿电压、还是上面提到的16V 是 MOSFET Vgs 的额定值电压(因此氧化物击穿电压会更高)。 谢谢。
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    TI__Guru**** 2501925 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    卡盘、

    在给定氧化层厚度的情况下、如果没有栅极钳位二极管、16V A 估计 Vgs 额定值将是多少、因为有一个栅极钳位二极管无法进行测试或指定、因为二极管始终会首先击穿、低于氧化层能力。