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[参考译文] TPS4H160-Q1：禁用 DIAG_EN 时保护功能的行为

admin
Guru**** 2487425 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS4H160-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/699473/tps4h160-q1-how-do-protection-functions-behave-when-diag_en-is-disabled

器件型号：TPS4H160-Q1

尊敬的专家：

我的客户正在考虑使用 TPS4H160-Q1并有问题。

如果您能提供建议、我将不胜感激。

--

关于引脚14 "引脚" DIAG_EN"低电平、我想知道它的行为方式。

根据数据表的表1、低电平/ST1至 ST4的端口不工作。

保护功能由 INx 的状态确定。

当 INx 为 H 时、它是完全保护。 哪些功能处于活动状态？

当 INx 为 L 时、它被描述为无保护、这是一种功能损耗。

--

感谢您提前提供的出色帮助。

此致、

新一

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    TI__Guru**** 2487425 points
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    您好！

    我认为 保护的唯一区别是：

    INx 低电平、反向电流可流经体二极管。 INx 高电平：通道传导电流并降低 功率耗散

    此致

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    TI__Guru**** 2487425 points
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    您好、Mahmoud、

    感谢你的答复。

    关于表1的说明。
    我仍然感到困惑、因此我想再次确认。

    表1的全面保护。 它涵盖了8.3.7完全保护的所有内容)、它是正确的吗？

    表1无保护。 是否完全不涵盖所有8.3.7全面保护、它是否正确？

    感谢您的帮助。

    此致、
    新一
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    TI__Guru**** 2487425 points
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    您好、Mahmoud、

    这只是提醒我正在等待您的回复。  

    此致、

    新一

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    TI__Guru**** 2487425 points
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    您好、Shinichi-San、

    第8.3.7段描述了4种异常情况、并明确指出 GND 丢失或电源保护与 INx 无关。 INx 控制 FET 栅极、仅对反极性产生影响：

    1- INx 高反向电流流经 FET 并导致功耗 Ron x square (Ir)更低。 例如、反向电流 Ir = 2A、Ron = 160m Ω、功率耗散为0.64W

    2 INx 低反向电流流经 FET 体二极管、导致功率耗散 Ir x Vf 更高。 例如、反向电流= 2A、VF = 0.7V、功率耗散为1.4W  

    我希望这能回答你的问题。

    此致

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    TI__Guru**** 2487425 points
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    您好、Mahmoud、

    感谢你的答复。

    我将与客户分享您的信息。

    感谢您的帮助。

    此致

    新一

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    TI__Guru**** 2487425 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Mahmoud、

    很抱歉反复询问。

    客户希望了解以下内容。

    当 DIAG_EN 为低电平时、

    (1)保护功能在高电平时是否与"DIAG_EN"运行相同？

    (2)其他功能是否与"DIAG_EN"处于高电平相同？

    感谢您的帮助。

    此致、
    新一
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    TI__Guru**** 2487425 points
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    Shinichi-San、
    DIAG_EN 高电平报告故障、当 DIAG_EN 低电平时、不报告故障。 DIAG_EN 用于诊断而不是保护。 希望这能回答你的问题。
    此致、Mahmoud
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    TI__Guru**** 2487425 points
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    您好、Mahmoud、

    感谢你的答复。

    我将与客户分享您的答案。

    感谢您的大力帮助与合作。

    此致、
    新一