[参考译文] LM5025：如何将 LM5025配置为驱动高侧 N-FET 有源钳位？

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Other Parts Discussed in Thread: LM5025, LM5025A, TL431

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/674114/lm5025-how-can-lm5025-be-configured-to-drive-high-side-n-fet-active-clamp

器件型号：LM5025
Thread 中讨论的其他部件：、 TL431

您好！

我们尝试将 LM5025用作 PWM 控制器、以配置死区时间并驱动高侧有源钳位正向转换器的主开关和辅助开关。虽然从 LM5025A 的数据表(SNVS293F - 2016年8月修订版-第3页)中可以看到它可用于高侧 N 沟道开关、但我们无法理解如何使用、因为没有用于高侧 N 沟道开关的示例或应用电路。我们将感谢在这方面获得帮助。

对于我们的应用：输入电压可在26V 至42V 之间变化。对于补偿、电压模式控制与环路补偿结合使用、环路补偿通过在次级侧使用 TL431以及光耦合器来实现。

谢谢、

Anindya Dasgupta

6 年多前

0 admin 6 年多前

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Anindya、您好！

有源钳位的大多数应用都使用低侧 p 沟道复位 FET、这可能是因为驱动此器件要容易得多。

但是、在某些应用中使用 n 通道 FET 具有一些优势。
应用手册 SLUA322介绍了使用高侧复位 FET 时的设计注意事项。

LM5025可通过在 TIME 和 REF 之间连接的 RSET 电阻器配置为 n 通道复位。
这会产生具有死区时间的异相 OUT_A 和 OUT_B 脉冲。

LM5025有多个版本、我随附的文档重点介绍了所有这些器件之间的差异

e2e.ti.com/.../LM5025A-Vs-LM5027A-Vs-UCC2897A.pptx

到目前为止、我还无法找到具有高侧复位的参考设计。

此致

John

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 1561515 points

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您好、John、

感谢您发送电子邮件。我知道使用高侧钳位并不容易、因此我已经使用低侧钳位和 P-FET 重新进行了分析、以使用 LM5025。关于5025、我想详细了解以下内容：

(i)如何设置 Vcc？我们的电源电压范围为26V 至42V、我们需要11V 至15V 的栅极脉冲。我不希望依赖任何辅助绕组、也不希望依赖线性稳压器、因为我们的效率非常高。

(ii)还想了解更多有关5025驱动电路的信息、以便我可以使用具有适当值的栅极电阻器。

谢谢、

Anindya

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