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[参考译文] BQ2970:如何设置充电电流值以及如何选择 MOSFET

Guru**** 2455360 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ2970

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/674369/bq2970-how-to-set-value-of-charging-current-and-how-to-choose-a-mosfet

器件型号:BQ2970

你好!

我对 BQ2970保护芯片有两个问题。 在我的解决方案中、我使用它来保护一节锂离子电池。 我阅读了一份文档、但我不理解其中的几个方面。

放电保护:16A

BQ29700->Rdson (CHG + DSG):100mV/16A = mΩ μ V。

 mΩ、我在 Tj = 25°C 且 Vgs = 3.5V 时寻找 Rdson 为3、125m Ω 的 MOSFET  

在我看来、在搜索引擎中很难找到这样一个晶体管、因为每个逻辑电平晶体管的 Vgs = 4.5V 或 Vgs = 2.5V  

例如、在"TI"搜索引擎中、我无法选择电压 Vgs = 3.5V。  为什么 Vgs = 3.5V 很重要? 如果锂离子电池的电压低于3、5V、会发生什么情况?

充电过流检测阈值。

我不理解如何设置最大充电电流。 在文档中有一个示例(14.3 mΩ×4.5A = 65mV)、但我需要对此进行更多解释。

感谢您的提前帮助

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    你(们)好
    使用 VGS =2.5V 的 FET
    该器件具有不同的设置、但具有不同的风格。 确定放电过流和 FET 的相应 Rdson 后、您现在可以选择具有所需充电过流的合适器件。 请注意、您选择的任何电压都将由 Rdson 分压、以确定其保护的实际电流大小。

    谢谢
    Onyx