[参考译文] TPS22810：CT 电容器

尊敬的 Wim：

当使用大 CT 电容器打开具有大容性负载的器件时、器件上的功率耗散会导致器件发热。 导通时间越长、器件处于高功率范围内的时间越长、其发热越多。

TPS22810在您的应用中的优点是器件具有热关断功能、因此即使长时间导通也不会对器件造成问题、因为它可以在电容器充满电之前循环热关断。 问题是器件没有反向电流阻断、因此在 VOUT = 5V 且 VIN = 0V 的情况下、电流将流经器件的体二极管、而这不会被调节。 如果 VIN 保持悬空、则只需将 VIN 升至约4.3V、器件不会损坏。 但是、如果 VIN 上有负载、那么它可能会拉足够的电流来损坏器件。

一种潜在的解决方案是在 TPS22810的另一侧添加一个 NMOS FET、使体二极管朝向输出。 当 CT 引脚连接到此 FET 的栅极时、器件将在关断时阻断反向电流。 当打开时、NMOS 也将缓慢打开。 但是、NMOS 不具有任何热关断保护、因此必须确保 FET 处于其 SOA 范围内。

另一种解决方案是 TPS22917器件。 它还具有用于慢速导通的 CT 引脚、并且还具有反向电流阻断功能(即使在 VOUT=5V 和 VIN=0V 的情况下也是如此)。 但 TPS22917没有热关断功能、因此您需要使用器件测试缓慢导通功能、以确保在打开系统中的电容时不会过热。

如果您有任何其他问题、请告诉我。

谢谢、

Alek Kaknevicius