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[参考译文] LM5060-Q1:变体数据

Guru**** 2468460 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5060-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/683574/lm5060-q1-the-variation-data

器件型号:LM5060-Q1

尊敬的所有人:

我的其中一个 AA 电池是在 他的最终设备中测试 LM5060-Q1。 在室温下一切都正常。

在-40°C 时、即使没有故障证据、器件也会关断 MOSFET。

设计人员已实现 DS 中显示的背靠背 MOSFET 连接、并在 OUT 引脚处添加了一个 Ro。

很可能故障的组织与外部 MOSFET 的 Rdson 变化以及数据表中公式(21)中使用的 Isense、Voffset 和 Iratio 的容差有关。

您能不能告诉我在 Iratio、Voffset 和 Isense 的-40摄氏度下的成绩是什么? 从 DS 中的电气表中可以看到、是通过 Undrstand。

此外,你是否有任何建议要考虑到公式(21)中的这些不忠诚?

此致、

Domenico

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Dominico、

    您应该看看 Vin、Vout、Vtimer、I-in、Vgate 上发生了什么。 该故障通常由 VDS 比较器导致的计时器超时引起。 冷温降 Rdson 极低、因此不太可能出现 VDS 故障。 但需要看到信号才能知道发生了什么。

    Brian