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[参考译文] CSD17483F4：电容与频率特性间的关系

admin
Guru**** 668880 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/700763/csd17483f4-capacitance-vs-frequency-characteristics

器件型号：CSD17483F4

您好！

 输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和 反向传输电容(Crs)在特定频率(即1MHz)上定义。 那么、该频率的重要性是什么？它如何影响我的 MOSFET 选择？
此外、这些参数如何随频率变化？

此致、

Harish Kumar

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    TI__Guru**** 668880 points
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    Harish、

    感谢您提出问题。
    1MHz 的频率是基于可用测量仪器(例如标准电容桥)的实际选择。 1MHz 值是一种常用频率、用于在功率器件行业的分立式器件数据表中指定电容。
    电容在10MHz 的系数范围内变化不大、例如100kHz 至10MHz。
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    TI__Guru**** 668880 points
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    谢谢 Chris。
    我想计算效率、这些电容参数会导致开关损耗。
    我以500k 和2MHz 的频率驱动栅极、那么我的开关损耗会随这些频率的变化而变化多大？
    -Harish Kumar
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    TI__Guru**** 668880 points
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    Harish、

    是的、您正确的是、频率变化会线性地影响您的开关损耗。
    但通常是电荷、而不是我们团队使用的功率损耗公式中使用的电容。
    例如，在此处的电子应用手册中， 详细说明了如何计算降压转换器中的功率损耗，www.ti.com/.../litabsmultiplefilelist.tsp 。我们还提供了一个在线工具，您可以在此处使用该工具，而不是通过这些计算： www.ti.com/.../fetpwrcalc ，如果降压转换器是您要估计的功率损耗。
    我们已经校准了这种计算方法、发现它非常精确。