[参考译文] BQ27750：bqStudio &#39；Golden Image File&#39；破坏监测计

您好、Eugene、

 如果您可以与器件通信、则很可能应该能够对从器件的产品文件夹中获取的默认 srec 进行编程。  使用 bqstudio 对 srec 进行编程。 如果无法对其进行编程、则需要更换芯片。

您能否确认您使用哪个适配器进行编程？ EV2300或 EV2400？ 您正在使用的适配器上的固件版本是什么？ 如果您使用的是 EV2300、并且您具有版本3.1c、则可以将损坏的原因与之比。 更新至3.1m 或3.1r。  如果您使用主机进行编程、并且器件发生故障、我建议您执行以下操作：

使用 bqstudio 提取闪存流文件、然后确保能够使用 bqstudio 在器件上对闪存流进行编程。 如果一切正常、并且在使用工具时器件损坏、则意味着编程顺序出错、必须进行故障诊断。

希望这对您有所帮助。

谢谢

Onyx

你好、Onyx

我使用 EV2400来创建闪存文件。
我无法使用 bqStudio 对器件进行编程、但可以使用 bqStudio 对 EVM 进行编程。
这似乎起作用。

以下是来自" www.ti.com/.../slua801.pdf'的 TI 说明

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每个闪存流类型都是一个文本文件、并具有相同的语法、如下所示：
•注释–以分号→开头；这是注释的示例。
•写入命令–W：[器件地址][命令][数据][数据]…[数据]
示例：将0x02写入命令0x3E、并将0x00写入带有器件的监测计的命令0x3F
地址0xAA
W：AA 3E 02 00
•比较命令–C：[器件地址][命令][数据][数据]…[数据]
示例：从命令0x3E 开始、将监测计的内容与器件地址0xAA 进行比较
字节序列0x02、0x00、0x02、0x20、0x00、 0x03
C：AA 3E 02 00 02 20 00 03
如果字节序列匹配、则继续、否则停止(错误)。
•延迟命令–X：[以毫秒为单位的延迟]
示例：等待10ms
X：10.

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哪里没有(我缺少什么)？ 我可以想到的一件事(即 bq27750技术参考中没有对此进行解释)是在每次写入后将校验和发送到0x60。 我尝试过、但这不起作用。 另一件事可能是字节序？ 但我怀疑这一计划背后的想法是，文件中的任何内容都只是加载和发送，而不会与所有的人发生相互干扰(因为其中的数据边界没有定义，因此这将是一场灾难)。 我已经验证的是、导线上输出的数据与文件中的数据相匹配。

感谢你能抽出时间。

此致、
尤金

你好、Onyx

附加了 bqStudio 创建的文件。 'big' ROM 命令为21字节(包括地址)...所以可能是边界性的？ 以下是我拥有的选项(遗憾的是没有"限制包装尺寸")。 我运行的是 bqStudio 1.3.80。

感谢 zip 文件、我将查看(但我非常确信线上的数据良好->与文件中的数据相同)...

此致、

尤金

e2e.ti.com/.../Onyx.df.fs.txt

你好、Onyx

所有源代码均受密码保护。 看不到太多:)

此致、
尤金

你好、Onyx

(将延迟增加到200ms)、没有差异。

我编写了一个 python 脚本，将我发送给您的闪存文件转换为一个具有较短 ROM 写入命令的文件：它当前每个'W:'命令发送16个字节，我将其更改为8个字节，并自然地相应地更新了地址(即格式为：  [I2C Addr][CMD][Length ][Addr LSB][Addr MSB][Data 0]...[Data15]、延迟为200ms)->没有差异(无论我使用此"存储器"文件还是 bqStudio 生成的文件、我在此后读取的存储器都保持不变)。

我看了闪存编程器'main'。 你们做的正是我做的

－解析文件

-将字符串转换为字节

-将 I2C 地址移动为7位(即删除 I2C 读取或写入位)

— 把这些都放在线上

我获取了您的代码(用于通过 ROM 进行写入)并在我的之后执行了代码(但只是为了重建字节数组)、以作为一种内联单元测试进行比较、并且完全相同...结果->没有区别。 不正确的参数仍然不正确、正确的参数仍然正确、没有任何变化...

我也看不出微控制器上的 I2C 写入/读取例程会是什么问题->无论我使用此闪存文件流还是直接进行 DataFlash 编程、它们都是相同的例程、 并且已经过验证、可以与 EVM 配合使用(即、当我将开发板插入 EVM 并进行读/写时、如果我在 bqStudio 中执行此操作、我将会看到与我相同的操作。

无论如何。 再次感谢您的观看。

此致、

尤金

你好、Onyx

不用说这个。

我目前有4种工作方式(即完整性检查)。

1) bqStudio + EVM (1)(通过 EV2300)->此设置有问题(有一个 WebEx 与 Eric、他立即看到了这一点)、他很好地给我发送了一个新的 EVM 和 EV2400。 EV2300。

2) bqStidio + EVM (2)、通过 EV2400 (由 Eric 发送)

3) Atmel SAMD21 Xplained Pro 开发板->通过切换总线(但由于某种原因、这不再适用于发送给我的新 EVM)、我成功地与 EVM(1)进行了通信、"就像使用 bqStudio"。 我在这里运行与实际器件相同的固件->因此、我说 i2c 读取/写入已通过目视检查我在 bqStudio 中看到的闪存值(反之亦然)验证、当我上次将其连接到 EVM in 1时)。 因此、我用于进行 filestream 编程的基本例程与我用于使用 slubi6.pdf 中所述协议对 DataFlash 存储器进行编程的基本例程相同。

4)我的实际(原型)器件。 运行与3中相同的固件。 我正在尝试"修复"此设备。 但我并不是因为我真的很关心解决这个问题、而是因为当我们从发送给您的电池中获取化学 ID、并且我们执行电池校准时、我想通过使用黄金映像和闪存流来简化调整生产设备的过程。 我想、如果这种方法真的不起作用、我只需直接向寄存器写入即可对其进行编程。

有趣的注意：由于安装了 EV2400，我无法再使用1)。

我希望这能解释一下吗？

此致、

尤金

PS：关于4)->无法将 bqstudio 连接到监测计、只能通过微控制器进行访问。