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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/671980/lm5111-reflow-condition-about-lm5111
尊敬的专家：
感谢您的日常支持。
我的客户对 LM5111的回流条件有疑问。
回流时的温度、时间和次数是否有限制？
最棒的，雷加尔
福泽
Fukasawa 您好！
我是高功率驱动器组的应用工程师、将回答您的问题。 TI 根据封装类型提供了处理和工艺建议。 有一份应用手册 AN-2029、其中规定了焊接工艺的准则。 温度和时间限制基于器件封装类型。 LM5111提供两种封装、因此请查看相应的限制。
应用手册的链接为： http://www.ti.com/lit/an/snoa550e/snoa550e.pdf
请确认这是否回答了您对该主题中回答的问题。
此致、
Richard Herring
福泽-圣您好、
在功率耗散问题上、这取决于包括 PWB 布局和工作环境温度在内的多个因素。 LM5111数据表 http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm5111.pdf 中的通用指南 位于表7.4热性能信息中。 RƟJA Ω 是具有特定电路板布局布线模式的结至环境热阻。 RƟJA 的功率耗散将是125°C 最大环境温度除以 Δ T 的建议最高温度。 或(125°C - Tamb)/112.2°C/W
建议的工作温度为表7.3中规定的125摄氏度。
要验证设计中的温度、请使用数据表第11.3节中所示的方法计算功率耗散。 使用小量热电偶测量 IC 封装顶部。 在已知功耗的情况下、您可以使用结至顶部特征参数计算结温。 TJ 是在 SOIC 封装顶部+ PD x 9.4°C/W 上测得的温度。
请确认这是否能回答您的问题。
