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[参考译文] LM3478:SEPIC 转换器中的总栅极电荷规格和最小 Vin

Guru**** 2484615 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/701097/lm3478-total-gate-charge-specifics-and-minimum-vin-in-sepic-converter

器件型号:LM3478

您好!
感谢您的回答。

关于电感器、您认为 我们74485540101或 SRF1280A-8R2Y 可能是正确的选择吗? 根据我的计算结果、对于非耦合电感、最小值为9.3uH、 ΔIL = 2.4A、IL (PEAK) 7.5A。如果不是、 您可以建议我使用合适的电感吗?

公式10仅指 MOSFET 功率耗散、因此如果 MOSFET 能够耗散该功率、任何选择都是正确的;但我想、在特定开关频率下增加栅极电荷总量都需要更大的功率来驱动 MOSFET。  LM3478 必须提供这种功率、这种功率是无限的、数据表或应用手册中没有任何相关信息;除非您告诉我、在任何容性负载和频率条件下 、LM3478 会自动限制通过 DR 引脚提供的功率、以避免过热。

关于问题4、我已经进一步研究了。 问题不取决于输入电压、而取决于输入电流。 在特定输入电压(例如20V、2A)下限制输入电流时、稳压器无法达到适当的输出电压(也没有负载)、因为在上电时稳压器消耗所有输入电流、输入电压会下降 (示例中为4V)、输出电压不可稳(介于6V 和10V 之间)。 在这种情况下、栅极电压几乎是恒定的、等于输入电压、因此所有输入电流都流入电感器和 MOSFET。
这不能成为问题吗?

我已经解决了调整补偿滤波器的问题5。

感谢你的帮助

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    如果计算正确、则 Wurth 电感器应该正常。

    驱动器损耗可通过以下公式计算:

    QG x VDR x FSW、其中 Qg 是总栅极电荷、VDR 是驱动器电压(如果 Vin 更高、则为7V)、而 FSW 是开关频率。 内部 LDO 损耗的计算方法如下:

    (VIN-7V) x Qg x Fsw。

    电路的其余部分将消耗大约 Vin x 3.3mA (静态电流)。

    以上三项基本上是 IC 内部的总损耗。

    关于问题4、可以理解输出变为不可稳、因为您的输入不支持该功率级别、并且控制环路变为开路。 这是电路的自然响应。 不确定您真正谈论的是什么问题。 为了避免这种情况、您需要确保您的电源确实支持功率级别。