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[参考译文] TPS56C215：裕度高- OVP 问题

admin
Guru**** 2484615 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS56C215

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/700706/tps56c215-margin-high---ovp-issue

器件型号：TPS56C215

尊敬的 E2E 会员：

我们的客户使用 TPS56C215并使用 MOS (Q8)实现低裕度。

但当裕度较低时、VFB 将触发 OVP。 (裕度高是正常现象)

我还建议 RD 在 Q8 MOS 的栅极使用10R (N5)、但没有改进。

您是否对电路或布局有任何建议来改善此问题？

  • 0
    TI__Guru**** 2484615 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！

    由于导通脉冲的宽度较短(~200ns)、因此由于栅极和源极之间存在寄生电容、因此很难改善该问题。 栅极上升时、源极电压不可避免地上升。 您可以尝试使用另一个 Qg 更小的 MOSFET、也可以使用更大的栅极电阻器。 此外、您还可以尝试使用更小的 MARGIN_DN 信号斜坡。