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[参考译文] TPS40170：具有 BSC039N06NS 的 TPS40170

admin
Guru**** 2466550 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS40170, LM5145

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/682215/tps40170-tps40170-with-bsc039n06ns

器件型号：TPS40170
主题中讨论的其他器件： LM5145

您好！

我将设计输入范围 uin = 15-30V 且输出电压 Uout = 3、3V/35A 的直流/直流转换器。 我想将 TPS40170与晶体管 BSC039N06NS 搭配使用。 为了获得更好的热性能、我想使用两个晶体管来进行 HDRV 和 LDRV 开关(请参阅电路原理图.png)。  

TPS40170是否适合在双模式下驱动该晶体管？  

此致、Tomas。  

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    Tomas、您好！

    是的、您可以如图所示使用 FET、我建议使用 LM5145作为 TPS40170的替代器件、因为它是去年发布的新器件。

    希望这对您有所帮助？

    David。
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    TI__Guru**** 2466550 points
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    尊敬的 David：

    非常感谢你的帮助。 我将为 LM5145进行仿真。 您是否认为 LM5145具有比 TPS40170更好的 EMC/EMI 性能？ 我们将在该直流/直流源附近有86、79MHz 接收器(接收器有自己的电路板、距离该电源大约有1-3m)。  

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    Tomas、您好！

    我认为这方面也不会有任何问题。 应考虑以下因素来降低 EMI。

    1.严格按照数据表中规定的准则进行布局。
    2.放置顶部栅极电阻器的支架，以缩短顶部 FET 的转换时间。
    3.将 RC 缓冲器从 Vsw 接地
    4.功率级输入侧 CM/DM 滤波占位符。
    5.使用屏蔽式电感器

    希望这对您有所帮助？

    David。