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[参考译文] UCC27531：栅极驱动 IC 的功率耗散特性

admin
Guru**** 2386280 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27531
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/699347/ucc27531-power-dissipation-characteristics-of-gate-drive-ic

器件型号：UCC27531

请提供功率耗散降额特性。

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    TI__Guru**** 2386280 points
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    您好、Mallikharjuna、

    欢迎使用 e2e！ 感谢您询问 UCC27531。 功率降额因数可通过使用 RJA 来确定。 请查看此应用手册(www.ti.com/.../spra953c.pdf)的第1节 、该节介绍了如何在您自己的系统中查找您自己的有效 RJA。

    作为一个镇流器、SOIC 封装在室温下的最大功率耗散可通过 Pmax =(Tjmax-Ta)/RJA =(150 - 25)/129.9 = 962mW 来估算。 当改变 Ta 时、该曲线在等于曲线斜率的因子上降额。 该斜率最终约为7.7mW/C

    这有道理吗？
    谢谢、
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    TI__Guru**** 2386280 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    在数据表中、RJA 显示为178.3°C/W 我能将其视为(150-25)/178.3 = 701mW。 降额因子为5.6mW/°C
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    TI__Guru**** 2386280 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，Mallikharjina，

    您可以将 DBV 封装的此降额因子视为比室温高5.6mW/°C。

    与 SOIC 封装相比、额定功率更低、因此降额因数更低。

    如果您有任何疑问、请告诉我！

    谢谢、