[参考译文] LM5109B-Q1：请检查电路图。

Taemin、您好！
感谢您关注 LM5109B-Q1。 我是一名支持此器件的应用工程师、将回答您有关设计的问题。
对于 C16、自举电容器和 C22 VDD 电容器的选择、我建议重新评估。 C16的值基于 MOSFET 的栅极电荷、工作频率和最大占空比。 C16上需要有足够的电荷来为 MOSFET 栅极充电、并在最大导通时间内维持 HB 电压。 IPB70N10S3L 是60nC (最大80nC)栅极电荷器件。 这是充电至10V 时的6nF 至8nF 有效栅极电容。
请参阅 LM5109B-Q1数据表 www.ti.com/.../lm5109b-q1.pdf
第8.2.2节.
除非开关频率较低、否则1uF 的值远大于您可能需要的值。 100-220nF 是适用于大多数电源应用的值。
自举电容器过大可能会导致在初始 LO 输出脉冲上对电容器充满电的问题。
如果可以减小自举电容器、则10欧姆的串联自举电阻 R8正常。

通常建议 C22 VDD 电容为自举电容 C16的10倍、因此如果 C16 100nF 正常、C22应为1uF。

驱动器 LI 和 HI 输入：最好将 LI 和 HI 的占位电容器位置添加到接地端、以防驱动器输入上出现感应噪声或振铃。 为了降低 LI 和 HI 输入上的感应噪声的可能性、我们建议在驱动器输入处于10至100欧姆范围内时串联电阻。

MOSFET 选择：如果不知道工作频率和负载电流、TI 就无法提供有关这些器件的详细建议。 请记住、选择 MOSFET 和1A 驱动器功能时、Vgs 上升和下降时间估计为~60ns。 这对于极高频率运行可能是不可接受的。 如果设计为高频、则应考虑使用更高强度的栅极驱动器或更低电荷的 MOSFET 来降低开关损耗。

此致、
Richard Herring

你(们)好 Richard

非常感谢您的专业帮助。

这对我们有很大帮助。

谢谢、

Taemin

你(们)好 Richard

原理图的传递出现错误。
上述电路采用推挽配置。
请检查是否存在任何异常。

谢谢、

Taemin

Taemin、您好！

我在前一篇文章中提供的建议仍然适用于自举电容器、VDD 电容器以及 MOSFET 和驱动器选择的大小、具体取决于在高频下运行。

作为良好的设计实践、另一个建议是在 MOSFET 的栅源极之间添加一些电阻、以解决控制和驱动器偏置加电期间漏源极之间的任何泄漏电流。

您能否在主题中确认这是否能解决您的问题？

此致

Richard Herring

你(们)好 Richard

非常感谢您的专业帮助。

谢谢、

Taemin