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[参考译文] BQ25703A:高侧 MOS 和低侧 MOS 的死区时间

Guru**** 2451970 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/671663/bq25703a-the-deadtime-of-the-high-side-mos-and-low-side-mos

器件型号:BQ25703A

我在数据表中找不到高侧 MOS 和低侧 MOS 的死区时间信息。   从何处获取信息?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    两侧的死区时间应约为20ns。 但是、由于栅极驱动信号斜升速度差异、您可能会看到比20ns 稍长一些。