[参考译文] CSD83325L：低电流情况和 RDS (ON)

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器件型号：CSD83325L
主题中讨论的其他器件：CSD85302L、

您好！

我们将使用 CSD83325L 或 CSD85302L 以及 TI 的 BQ29700评估单节锂聚合物电池保护电路。我们的用例适用于功耗极低的可穿戴设备(30mAh 电池和小于100mA 的最大工作电流)。电池保护电路的一个重要特性是过流保护(在充电和放电情况下都是如此)。为了预测电流保护的跳闸点、了解 MOSFET 的 RDS (on)行为非常重要。

问题：您是否可以与我共享资源(数据表、应用手册或注释)、以帮助我更好地了解这些 MOSFET 的 RDS (ON)在低电流(20 - 300mA 范围内)下的变化？

提前感谢您的帮助、

Michael

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 670100 points

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Michael、
假设 MOSFET 已完全增强(Vgs 等于或大于最小额定电阻规格、对于每个器件为2.5Vgs)、电阻实际上不会随电流的函数而变化(尤其是在 MOSFET 饱和之前的这些低电流下) 它是温度的函数。

图8的数据表中提供了该变化。因此、无论您认为器件在此事件期间的结温是多少、都可以在图8中查找温度系数、并将电气特性表中的所有电阻规格相乘、以获取温度下的新值。

很明显、我们仍然可以预测器件在室温下的典型电阻的器件间差异、因此我们在数据表中提供了最小和最大电阻(在室温下)、我们建议在周围进行设计。

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 670100 points

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感谢您的回复、Brett。您的回答非常有帮助！

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