[参考译文] BQ76920：BQ76920+BQ76200应用

尊敬的 Dustin：
高侧 MOSFET 允许将 PACK-用作 SMB、I2C、UART 或 RS4xx 等简单通信总线的基准。 不同的总线在基准与信号中耐受不同数量的偏移。 当高侧电源信号是电池中唯一的正电势时、可以避免电池泄漏的大部分问题。 如果使用 P 沟道 FET、高侧的一些缺点是驱动电路的连续功率、与 N 沟道相比、RDSON 更高、选择更低。 如果使用 N 沟道、缺点是需要高于电池电压的电压和栅极电压的电平转换、这意味着需要 bq76200等驱动器的功能。
低侧 MOSFET 会破坏 PACK-信号、因此不能将其用作简单通信总线的参考。 将低侧通信总线引用到低侧受保护的电池组-通常会产生一条允许通过通信线路持续放电或充电的路径。 如果电池中的 BATT-基准用于通信基准、则系统设计必须确保这对应用是安全的并且符合所有适用的法规。 低侧保护的优势在于其简化了 FET 控制、并且提供了具有良好性能的 N 沟道 FET。 低侧保护的缺点是、如果需要通过电池进行通信、则系统会非常复杂、因为可能需要隔离式通信总线。