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[参考译文] UCC28780：UCC28780 ABM 不稳定性

admin
Guru**** 2494635 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/720191/ucc28780-ucc28780-abm-unstability

器件型号：UCC28780

您好！

此设计使用 GaN-FET 的二次谐振：一次侧钳位电容器为1uF/陶瓷；二次侧谐振电容器为33uF/25V。

测试条件为：Vin=390Vdc、Vout=9Vdc、Iout=1.2A。

我发现第二个谐振电流与第一个谐振电流不同。

为什么会出现这种异常的苯胺？ 如何解决？

BR

陈十一

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    TI__Guru**** 2494635 points
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    尊敬的 Eleven：

    感谢您关注 TI 的解决方案。
    我想确保您使用390Vdc 作为输入电压、还是使用交流输入并在电桥之后获得390Vdc？
    我希望确保输入电压的原因是输入电容器上的纹波可能会像这样导致谐振电流。
    此外、您能否提供具有更多脉冲的谐振电流？
    可能5-8个脉冲就足够好了。

    最棒的酒店
    Kevin
  • 0
    TI__Guru**** 2494635 points
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    尊敬的 Kevin：
    感谢您的回复。
    前端有 PFC 级
    现在、我使用单独的直流源来调试 ACF 级。
    我已经尝试检查了更多的脉冲、但它仍然显示出同样的异常问题。
    此问题将导致 SR 驱动程序提前关闭。 初级电流 RMS 也更高。
    请提供帮助建议。
    谢谢。

    BR
    陈十一
  • 0
    TI__Guru**** 2494635 points
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    尊敬的 Eleven：

    感谢您的意见。

    您还使用二次谐振吗？

    如果是这样、您可以减小 LDAMP 以获得更强的阻尼。

    阻尼越强、Vco1就越稳定、这将减轻 SR 过早关闭的影响。

    您能否 同时采集 Vgs (SR)、Vco1、Ipri？

    它将为我提供有关该问题的更多信息。

    此致

    Kevin

  • 0
    TI__Guru**** 2494635 points
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    尊敬的 Kevin：
    感谢您的回复。
    当我同时捕获 Vgs (SR)、Vco1、Ipri 时、初级高侧 GaN-FET 损坏。
    我不知道发生了什么。
    请提供一些建议。

    此外、我在 FB 引脚上放置了 Rcomp 和 N-MOSFET。
    我发现该电路非常有用。
    现在、我将390K 欧姆作为 Rcomp。
    我不确定我可以使用的最小 Rcomp 值是多少？
    如果我使用较小值的电阻器、会发生什么情况？

    谢谢！


    BR
    陈十一
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    TI__Guru**** 2494635 points
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    尊敬的 Eleven：

    很遗憾听到您的隐藏侧 GaN 损坏。

    您是否仔细重试？

    您是否还同时捕获初级侧波形？

    因为初级侧接地和次级侧接地不同。

    您提到 Rcomp 很有用。 您是指 更稳定的 ABM 模式吗？

    基本上、我们不建议低于500KOhm。

    因为 Rcomp 过小会影响启动和 OPP。

    较小的 Rcomp 将导致较小的 Vcst 和 IPEAK。

    此致

    Kevin

  • 0
    TI__Guru**** 2494635 points
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    尊敬的 Kevin：
    Rcomp 为何对启动/OPP 有影响？
    您能帮您解释一下吗？
    谢谢！

    BR
    陈十一
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    TI__Guru**** 2494635 points
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    尊敬的 Eleven：

    较小的 Rcomp 将导致较高的 ICOMP 和较高的 IFB。

    因此 CS 引脚上的最大峰值电流将更小(负反馈 IFB)。

    在满载启动期间、如果 Rcomp 过小、可能会导致问题。

    此外、OPP 点也会太小。

    此致

    Kevin