[参考译文] 如何提高开关电源的效率

你(们)好

一个方面是查看通过减小栅极驱动电阻器的导通和关断值来更快地驱动 MOSFET。 此外、还值得使用热像仪查看哪些组件变得最热、并将注意力集中在如何降低这些器件的功率损耗上。

必须进行功率损耗计算、以确定理论上的效率。 该设计的输入电压和输出电压是多少。 您使用的是哪款 TI 控制器。

此致

Peter

感谢你的建议。
产品输入电压为24V、输出电压为5V/50A、控制器为 TI 的 UCD3138全桥硬开关拓扑、主驱动器为 UCC27211、次级驱动器为 UCC27324。 原型中最热的器件是一次 MOS 管和二次 MOS 管。
室温满载测试时、一次 MOS 管的外壳温度为100度、二次 MOS 管的外壳温度约为80度、磁性元件温度约为50度、其他芯片温度约为40度。

最大的损耗是 MOS 管。 我想根据您的说明降低驱动电阻器的电阻。 我之前使用了10欧姆。 我还发现了一些性能更好的 MOS 管、Rdson、Qg、CD 更小的 MOS 管。 我还从互联网上看到一个肖特基二极管与 MOS 管并联、这意味着损耗也可以降低。
谢谢你。