[参考译文] LMG1020：LMG1020功率耗散

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器件型号：LMG1020
主题中讨论的其他器件： UCC27531、 UCC27611

大家好、

我对 LMG1020的功耗有一些疑问。

我想为了计算 LMG1020的功率耗散、客户将使用下面的公式。 (可从 UCC27531的数据表中找到)它是正确的吗？

0.5来自什么？ o GaN 驱动器的方程式(如下面的 UCC27611)没有0.5。

3. LMG1020的 ROL 是多少？

四、关断方程存在差异。我们应该使用哪个公式来计算 roff=3 x ROL 或 roff =2.7 x ROL？

我认为 RGATE 是外部栅极电阻器。在下面的情况下、您能告诉我如何定义？

此致、

Yoshi

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 1839620 points

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您好、Yoshi、

感谢您询问 e2e 上的 LMG1020！我是一个可以为您提供帮助的应用程序人员。

通过 RJA 可知、Tamb=25C 时、RJA = 134 C/W 达到150C 结温时的最大功耗为(150-25)/134 = 932mW

为了计算 LMG1020的功率耗散、我们可以使用开关 FET 栅极充电关断电压和频率所需的总能量、然后在栅极电阻和内部 FET 栅极电阻的全部三个内部驱动器阻抗之间进行分频。驱动器功耗的一半在 OUTH 期间、另一半将由 OUTL 消耗–驱动器在 FET 导通后不提供直流电流、因此没有功耗、占空比也很重要。

请参阅第2.7节http://www.ti.com/lit/ml/slua618/slua618.pdf

我们还必须使用离开 VDD 电容的平均电流乘以 VDD 电压来计算内部驱动器电流消耗。这种热消耗小于栅极驱动器损耗、30Mhz 下的 IVDD 运行典型电流为~50mA、负载为100pF、但这是使用2欧姆 OUT/OUTL 时的情况。在5V 时、50mA 为250mW、在较差情况下应考虑这一点。

R1和 R2用于可调驱动强度。它们还限制了内部驱动器击穿。不过、这些电阻器不需要在那里、只会降低栅极速度。

ROH =>根据 VDD-OUTH 规格、我们知道在整个温度范围内、OUTH 上的最大压降为50mV @ 100mA 或0.5欧姆

同样、ROL => OUTL 在整个温度范围内的最大值为36mV @ 100mA 或0.36欧姆

可从 FET 数据表中找到内部 FET 栅极电阻。

如果您有任何疑问、请告诉我。

谢谢、

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[参考译文] LMG1020：LMG1020功率耗散