This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LP8860-Q1:EEPROM 读取/写入序列

Guru**** 2463330 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/679910/lp8860-q1-eeprom-read-write-sequence

器件型号:LP8860-Q1

大家好、团队、

EEPROM 写入可能失败。

选择 SPI 通信模式。

步骤如下
1.开机
2. VDDIO/EN =低电平
μs 500 μ s
4. VDDIO/EN =高电平
5、等待100ms (SOFT_START = 50ms + BOOT_START = 50ms)
6.将0x08写入地址0x1A
7.将0xBA 写入地址0x1A
8.将0xEF 写入地址0x1A
9.将0x01写入地址0x19
10、等待1ms
11.将0x00写入地址0x19
12.从 EEPROM 寄存器(地址0x60... 0x78)。
13.将0x08写入地址0x1A
14.将0xBA 写入地址0x1A
15、将0xEF 写入地址0x1A
16、等待5ms
17.将数据写入 EEPROM 寄存器(地址0x60... 0x78)。
18.将0x02写入地址0x19
19.等待250ms
20、将0x00写入地址0x19

之后、在电源状态下(从步骤2开始)重置主机微型计算机时、写入操作将成功。
主机微型计算机再次复位(从步骤2开始)、写入将成功。

我尝试了各种实验。
然后、结果表明、如果您将 EEPROM 设置为如下所示的读/写后锁定状态、则写入不会失败。

1.开机
2. VDDIO/EN =低电平
μs 500 μ s
4. VDDIO/EN =高电平
5、等待100ms (SOFT_START = 50ms + BOOT_START = 50ms)
6.将0x08写入地址0x1A
7.将0xBA 写入地址0x1A
8.将0xEF 写入地址0x1A
9.将0x01写入地址0x19
10、等待1ms
11.将0x00写入地址0x19
*12. 将0x00写入地址0x1A
13.从 EEPROM 寄存器(地址0x60... 0x78)。
14.将0x08写入地址0x1A
15、将0xBA 写入地址0x1A
16、将0xEF 写入地址0x1A
17.等待5ms
18.将数据写入 EEPROM 寄存器(地址0x60... 0x78)。
19.将0x02写入地址0x19
20、等待250ms
21.将0x00写入地址0x19
*22. 将0x00写入地址0x1A

解锁 EEPROM 寄存器后、是否正确使用再次锁定?

谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    已在另一个主题的同一个问题中进行了说明。