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[参考译文] 瞬态响应

admin
Guru**** 2494635 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5141

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/720002/about-transient-response

器件型号：LM5141

您好！ 对于 LM5141的瞬态响应、我有两个问题。当我将负载电流从0A 更改为4A、然后将其从4A 更改为0A 时、两 种不同工作模式(DEMB 模式和 FPWM 模式)下输出电压值的纹波为何不同？以及电压纹波恢复时间为何  在 DEMB 模式下比 在 FPWM 模式下更长？ 附件是我的测试结果。谢谢！e2e.ti.com/.../Transient-respond.docx

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    TI__Guru**** 2494635 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Jessica、

    在 Demb 模式下、为了获得极低的待机电流、大多数内部电路被关断。 从非常轻的负载变为高得多的电流将导致非常不同的瞬态响应、因为唤醒内部电路需要一些时间、这会导致瞬态响应不如在 FPWM 中设置器件时好。


    希望这对您有所帮助？

    David
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    TI__Guru**** 2494635 points
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    尊敬的 David：
    感谢你的答复。 但我发现在 DEMB 下、当负载电流从4A 变为0A 时、纹波电压需要比 FPWM 更长的恢复时间。也就是说、内部电路将在 DEMB 下关断、 如果是因为内部电路的关断会影响恢复时间，它的剂量是多少？ 但是、当负载电流从0A 变为4A 时、两种工作模式下的响应时间相同。 这与您描述的不同。 谢谢、期待您的回复。
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    TI__Guru**** 2494635 points
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    Jessica、让我澄清一下、

    David 的帖子是指0A-4A。 IC 需要时间来唤醒、这就是为什么在 DEMB 与 FPWM 中这种电压下冲更加强烈的原因。

    第二个问题是过冲恢复时间。 正确的做法是、这不是由于 IC 需要花费时间来唤醒。 这是由 IC 的二极管仿真操作造成的。 二极管仿真控制低侧 FET 来仿真二极管、这意味着它不会灌入电流。 任何灌电流都是浪费的电流、这将对效率产生负面影响、而 DEMB 的目标是尽可能实现最佳效率。

    负载关闭、由于反馈环路的带宽有限、我们看到 VOUT 过冲。 FPWM 将看到该值和灌电流、以便使该电压恢复到正确的值。 但是、DEBM 不会灌入电流、这意味着电压将保持在该电压状态、直到其他(负载)吸收电流以使该电压恢复到适当的调节状态。 但是、由于没有负载、该电压会保持一段时间。

    Sam
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    TI__Guru**** 2494635 points
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    尊敬的 Sam：
    非常感谢您、您的描述非常清楚、我现在理解^-^。