您好!
我对 MDT 有疑问。
我了解 MDT 是图3中的"MDT =|DT1-DT2|"。
另一方面、在25度下、在 RDT=100kOhm 时测试 DT1和 DT2值510ns、在 RDT=10kOhm 时测试86kOhm。
为什么在数据表中定义 MDT?
此致、
Shimizu
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好!
我对 MDT 有疑问。
我了解 MDT 是图3中的"MDT =|DT1-DT2|"。
另一方面、在25度下、在 RDT=100kOhm 时测试 DT1和 DT2值510ns、在 RDT=10kOhm 时测试86kOhm。
为什么在数据表中定义 MDT?
此致、
Shimizu
Shimizu、您好!
我是一名支持此器件的应用工程师、将会回答您的问题。
我想确保我正确理解您的问题。 您在问为什么在数据表中定义 MDT?
在许多设计中、如果您的目标是尽可能缩短死区时间、但希望确保栅极驱动器具有足够的死区时间、以便在另一个器件导通之前关闭一个器件、 您需要知道 LO 和 HO 驱动器的两次转换之间是否存在类似的死区时间。
当没有死区时间功能时、大多数半桥驱动器要么具有传播延迟匹配参数。 死区时间功能的死区时间匹配参数。
确认这是否回答了您的问题。
您好 Richard、
感谢你的答复。
我了解到 TI 在25度的条件下对数据表规格的 DT1和 DT2进行了测试(DT1=DT2 ->相同的时间)。
但 DT1和 DT2仅在 RDT=100kOhm 和 RDT=10kOhm 的情况下进行测试。
我认为 MDT 是为其他 RDT 电阻器外壳定义的。
在其他 RDT 电阻器情况下(例如47K 欧姆)、DT1与 DT2不同。
25度时、TI 将 DT1和 DT2的不同时间定义为低于50ns。
这是我的想法吗?
此致、
Shimizu
您好 Richard、
感谢你的答复。
> 25度时,DT1和 DT2与100K 欧姆的时间差显示为50ns 的典型值。
->您说“DT 在 ATE 处进行测试”。
在 DT1和 DT2的 ATE 上正在进行哪种类型的测试?
25度时、DT1和 DT2固定为510ns (RDT=100kOhm)和86ns (RDT=10kOhm)。
为什么 Dt1和 DT2之间的差值定义为25度?
我认为这是矛盾的。
此致、
Shimizu
Shimizu、您好!
非汽车器件的 ATE 测试温度为25摄氏度
100k 欧姆时的 DT1和 DT2典型值为510ns、10k 欧姆时的典型值为86ns。 该时间的测量范围为从 LO 下降到 HO 上升或 HO 下降到 LO 上升、如数据表所示。
MDT 是 DT1和 DT2之间的差值、由100k 欧姆 RDT 指定。 数据表中没有 DT1、DT2或 MDT 的最小和最大规格。
数据表指定了最小和最大限值适用于整个温度范围。 除非另有说明、否则 TJ=25°C、VDD=12V、Hs=0V。
此致、
Richard Herring