一般问题：
问：TPS51200支持哪些类型的 DDR？
答：TPS51200支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LP DDR3 (低功耗 DDR3)和 DDR4。
Q：如何计算 TPS51200上的功率耗散。
答：TPS51200是一款线性稳压器、VLDOIN 电流等于 VO 电流。 TPS51200器件上的功率耗散可通过以下公式计算得出：(VLDOIN-VO)*Iout。
以 DDR4应用为例。 VDDQ 电压为1.2V、VTT 为0.6V、VTT 电流为1A、因此 TPS51200的功耗为(1.2V-0.6V)*1A=0.6W。
问： TPS51200是3A LDO 稳压器、我可以使用 TPS51200来支持3A 连续直流电流吗？
答：我们不建议使用 TPS51200长时间支持3A 连续直流负载。 在功率耗散较大的情况下、器件将被加热、VO 电压偏差可能超出 DDR 规格。 有关安全的直流负载电流、请参阅数据表第7页的负载调节曲线。
问：什么是 REFOUT 容差？
A：电流为+/-1mA 时、REFOUT 容差为+/-12mV。 该规格可在数据表规格表中找到。
问：EN 引脚电压是否可以高于 VIN 电压？
A：否、EN 引脚电压应随时等于或低于 VIN 电压。 此信息可在数据表第9节(电源相关建议)中找到。
原理图相关问题：
问：如何检查原理图是否正确？
答：我们建议遵循数据表第8节(应用和实施)提供的参考设计。 以下是需要注意的关键事项。
- VLDOIN 使用的电容器最低为20uF、VO 使用的电容器最低为30uF。 VLDOIN 和 VO 电容值没有最大限制。
- 对于 VIN 引脚、请使用介于1uF 和4.7uF 之间的电容器。
- 建议为 REFOUT 引脚使用一个0.1uF 电容器。 如果 DDR 侧需要 REFOUT (VREF)电容器、请将总电容保持在1uF 以下。
问：是否应在 VOSNS 引脚和输出之间添加 RC 滤波器？
答：如果布局中的 VOSNS 迹线在布局中非常长、建议在 VOSNS 引脚和输出之间添加 RC 滤波器(或占位符)、以滤除耦合到迹线的电势噪声。 如果布局中的 VOSNS 迹线短路并远离噪声、则不需要 RC 滤波器。
问：如果不使用 REFOUT 信号、REFOUT 引脚是否可以断开？
A：否、REFOUT 引脚不能打开。 当 REFOUT 引脚断开时、VO 电压可能不稳定。 建议为 REFOUT 引脚使用一个0.1uF 电容器。
问：EN 引脚上是否有内部上拉或下拉电阻器？
A：EN 引脚上没有内部上拉或下拉电阻器。 EN 引脚不能悬空、必须从外部下拉以关闭器件、或从外部上拉至高电平以打开器件。
问：如果不使用 PGOOD 信号、如何处理 PGOOD 引脚？
A：PGOOD 引脚是一个开漏引脚、不建议将其保持断开状态。 建议通过上拉电阻器连接到 VIN。 允许接地。
问：我是否应严格遵循数据表图19和20中的启动和关闭时序？
A：建议使用数据表图19和20中的时序。 在图19中、还允许在上电期间早于 VIN 开启 VLDOIN、并在断电期间早于 VLDOIN 关闭 VIN。 请记住、EN 引脚电压不应在任何时候超过 VIN 电压。
布局相关问题：
问：数据表上是否提供布局指南？
答：是的、数据表第10节提供了布局指南。 请遵循该指南以获得更好的性能并避免出现任何意外问题。
问：如何在布局中连接 TPS51200散热焊盘、AGND 引脚和 PGND 引脚？
A：散热焊盘用于在 TPS51200上散热。 建议通过多个过孔将散热焊盘连接到电源接地铜平面。 将 AGND 引脚和 PGND 引脚直接连接到散热焊盘。
问：VTT 电容器应位于布局中的什么位置？
答：需要在靠近 TPS51200 VO 引脚的位置放置至少一个10uF 电容器。 其他 VTT 电容器可放置在 TPS51200侧或 DIMM 侧。