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[参考译文] TPS796：压降电压与放大器；热性能信息 TPS79650

admin
Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS796
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/669642/tps796-dropout-voltage-thermal-information-tps79650

器件型号：TPS796

如果我们比较 DRB (VSON)封装与 DCQ (SOT-223)、 DRB (VSON)的 RθJA Ω 结至环境热阻与 DCQ (SOT-223)相比非常小：但 DCQ (SOT-223)的封装面积远高于 DRB (VSON)、在大多数情况下、当结至环境热阻增大时、我假设 RθJA Ω 的热阻会减小。 提供的热数据是否正确？

TPS79650 @ 1A 的最大过热压降是多少？

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    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    大家好、Madiwalesh、

    封装尺寸只是影响热量如何从 LDO 中排出的一个小因素。 其他因素包括芯片尺寸、封装中的芯片方向、封装中的芯片位置、模塑化合物等。 也许对 TPS796最重要的是散热焊盘或 GND 标签相对于芯片的尺寸和位置。

    对于 DRB 和 KTT 封装、TPS796的裸片能够位于通向 GND 的大型金属路径上方、但 DCQ 封装不能如此。 由于 LDO 的主散热器是 PCB 的 GND 平面、因此这条热量到达 GND 的更直接路径允许更多热量离开 LDO、从而比 DCQ 封装的更直接路径降低结温。 因此、当结温与环境温度进行比较时、差异会更小、因此 RθJA μ V 更小。

    非常尊重、
    Ryan
  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Ryan、

    感谢您的回复、非常有帮助。 我不理解这句话：因此、当结温与环境温度进行比较时、差异会更小、因此 RθJA μ m 更小。

    TPS79650 @1A 电流的压降电压是多少？
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    TI__Guru**** 2387830 points
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    大家好、Madiwalesh、

    以下应用报告描述了如何生成 μ RθJA。  环境温度和结温均使用 LDO 中已知的功耗量进行测量。  然后、我们将 RθJA 计算为(Tj - Ta)/PD。  由于 DRB 和 KTT 封装的结温低于 DCQ 的结温、且具有相同的环境温度和功率损耗、RθJA 也更小。

    TPS79650 1A 时的最小压差在电气特性表中被指定为200mV 典型值和300mV 最大值。

    非常尊重、

    Ryan