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[参考译文] TPS51206:TPS51206 VTTREF 电容器和 VDDQSNS 问题。

Guru**** 2448780 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS51206

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/668427/tps51206-tps51206-vttref-capacitor-and-vddqsns-question

器件型号:TPS51206

尊敬的支持成员:

我的客户使用了 TPS51206。

我有两个问题。


问题1.
VTTREF 引脚输出的负载电容是否有上限?
我设计的负载电容连接了2.3uF、有问题吗?


问题2.
是否存在 VDDQSNS 的最小值和最大值?
因为数据表不是描述。


最恰当的考虑。
Bob Lee。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好!

    VTTREF 可以使用2.3uF。

    关于 VDDQSNS、这是一个输入引脚、因此它实际上取决于 VDDQ 范围。 通常、DDR4为1.2V +60mV/-40mV。

    此致、
    Weidong
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    尊敬的朱惠东:

    非常感谢您的回复。

    我回复我的客户您的答案。

    最恰当的考虑。

    Bob Lee。

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    尊敬的朱惠东:


    我有疑问。

    我对 VTTREF 电容器进行了错误处理。
    VTTREF 电容器的设计为13.3μF μ F。


    问题1.
    我设计的负载电容为13.3 uF、有问题吗?


    问题2.
    由于 VTTREF 输出由电压跟随器运算放大器生成、
    VTTREF 电容器是否会因为过大而振荡?


    最恰当的考虑。
    Bob Lee。

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    尊敬的 Bob:

    13.3uF 过大。 理想情况下、我们应将 VTTREF 去耦电容保持在1uF 以下、但2.3uF 仍应正常。 如果是13.3uF、则会导致稳定性问题。

    您是否有振荡的波形、您能否看到是否可以通过减小电容来改善该波形。

    此致、
    Weidong
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    尊敬的朱惠东:

    非常感谢您的回答。

    目前、由于我的客户正在设计、波形不是。

    我将回答、有必要将 VTTREF 电容器设置为2.3uF。


    最恰当的考虑。
    Bob Lee。