• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 2 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 140 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS562201：TPS562201的反极性保护

admin
Guru**** 2448780 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS562201

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/669077/tps562201-protection-against-reverse-polarity-for-tps562201

器件型号：TPS562201

你好！ 我们在产品中使用 TPS562201通过铅酸电池电源(14.4V 或更低)生成+5V 电压。 在测试过程中、我发现、根据最大绝对额定值、极性的任何反转都是破坏性的-立即-无第二次机会-组件爆炸。 但是、我们需要在12V 范围(预降压转换器级)内充分利用电池寿命、 因此我们需要尽可能减少电路中的附加压降。 我想使用2A 350mV 肖特基二极管作为保护、但其反向电流在15V 范围内可上升至3mA。 您n´t 认为这是足够的保护还是这种反向电流水平(Δ I 是否知道这会在 Vin 上产生多大的电压)也会造成破坏性、因此对于该组件没有合适的保护？ 提前感谢。

  • 0
    TI__Guru**** 2448780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你(们)好

    以下是一些建议供您参考：
    如果输出和负载接地没有到 VBAT 接地的返回路径、则可以在输入 GND 路径上使用 N-FET 作为反向保护、在2A 输入电流时、50 m Ω RDS (ON)不会下降0.1V
    2.如果上述情况不正常、则在 VBAT 路径上使用 P-FET、但成本稍高。
    如果您不想使用 MOSFET、则在 VBAT 路径上使用肖特基阻断二极管、并在 TPS562201 Vin 和 GND 引脚之间并联一个小型肖特基二极管(如果为200mA)作为泄漏电流路径。
  • 0
    TI__Guru**** 2448780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Andy：

    我认为第三个将是赢家-这款小肖特基二极管在 Vin 上、阳极在 GND 上、这将产生不同、它吸收主肖特基的任何泄漏电流、聪明的解决方案！ 尽管 MOSFET 解决方案也适合我。

    非常感谢您的帮助！ 在这些降压转换器中、我非常新(我来自线性稳压器时代)、因此我过去不必担心反极性问题(这些78xx 的人具有反极性保护、代价是体积大且效率低)。