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[参考译文] LM2727:去死区时间和低侧 MOSFET 体二极管反向恢复

Guru**** 2448360 points
Other Parts Discussed in Thread: LM2727, LM2737

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/668644/lm2727-deadtimes-and-low-side-mosfet-body-diode-reverse-recovery

器件型号:LM2727
主题中讨论的其他器件: LM2737

尊敬的 TI 员工:

我正在使用竞争对手的降压同步开关控制器进行设计。 我的设计目标稍微靠背了一点:输入电压固定为19V、输出电压应在1V 至14V 或 s 之间可控。我正在寻找一个大于2MHz 的快速电压。 这样才能使用小型电感器、并且仅在输入和输出端使用陶瓷电容器。 此外、该封装必须具有手工焊接

但我意识到他们的死区时间太长了。 具有体二极管反向恢复电荷释放和导通损耗。 在这方面、LM2727似乎是一个更好的部分。 但很少有人对 MOSFET 驱动器的时序有任何了解、因此数据表中的死区时间也是如此。

我的目标是更大限度地提高功效、我正在寻找一种方法来防止低侧体二极管发生反向恢复 Qrr。 我的问题是 LM2727是否已经解决了这一问题? 由于我在数据表中的效率计算中没有找到像 Pqrr = Qrr * VDS * Fsw 这样的公式。

此外、我还不理解 LM2727无法处理高于16V 的输入电压的规格。 我知道我应该为芯片 Vcc 引脚提供5V 电压、没问题。 但是、如果我在顶部 MOSFET 漏极引脚上提供19V 电压、LM272为什么应该小心呢? 可以麻烦你解释一下吗?

此致、

Maarten Verhage

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    哦、是的、如果 TI 能为该应用推荐更合适的器件、 这当然也是欢迎的!
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    您好、Maarten、

    这个呢?
    www.ti.com/.../lmr33630.pdf

    谢谢
    -Arief
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    您好、Arief、

    感谢您的建议。 但是、我更喜欢使用具有外部开关的开关。 因此、就我所见、LM2727或 LM2737看起来是最好的。 我希望 TI 愿意回答我最初的问题、以验证是否适合我的应用。 我希望 TI 内部仍有关于这一有机的 National Semiconductor 部件的知识。

    在数据表的第一页上、我阅读:"自适应、非叠加式 MOSFET 栅极驱动器和高侧自举结构有助于进一步最大限度地提高效率。" 我认为、原始设计人员已经打算设计出这样的设计、以防止体二极管电荷释放 Qrr。 现在我希望这个问题能由任何需要自信地回答的人来处理。 如果你是这样、很好。 如果您不是这样、请将其转发给相应的人员。

    此致、

    Maarten Verhage