我还要再次介绍一下该 IC 的 sluc644 Mathcad 工作表。 这次、我对功率级工作表中的 COSStr_FET 和 COSStr_RECT 计算感到困惑。
我正在使用较低的栅极电荷初级 QL FET 和较低的 Rdson 初级 QH FET、因此我的初级 FET 是不同的。 不过、COSStr_FET 计算似乎是针对相同的 QH 和 QL FET。 我是否可以通过将条目与 QH 的 VRfl 分母和 QL 的 VBULKtr 分母组合在一起、将其分成两个计算？ (稍后编辑：我认为这是简单的、但不是。 因此、我想知道如何将 QL 和 QH 的计算分为两个。)
下面是声明 COSStr_rect：= 567 pF。 这是通过对 COSStr_FET、但对次级同步整流器的类似计算确定的吗？ 如果是、我认为工作表中也应该包含该计算。 如果不是、该数字是如何确定的？
Gerrit、您好！
COSStr_FET 计算假设高侧和低侧的 MOSFET 相同。 我不确定如何按照您的建议将术语分开。
相反、我建议对两个不同的 FET 进行以下修改：
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此计算使用具有小得多输出电容的 GaN FET、但该原理适用于 GaN 和 Si。
COSStr_RECT 是与 SR-FET 时间相关的输出电容、该特定值基于 在 Mathcad 开发时评估的 FET。
控制器工作表 的第一页 上的"半导体器件" 标题下有一种估算方法。 此处、作者 获取 SR-FET 数据表输出电容曲线、使用曲线数字化程序将其数字化、将 x、y 值插入 Excel 中的列、计算每行的 DQ 值(dQi=CI*(VI - VI-1)、然后为 Cosstr (VI)= SUM (Q0：Qi)/VI 的每行计算有效输出电容值、 然后绘制 Cosstr 曲线与电压的关系图、并使用 曲线拟合趋势线特征为其生成一个方程式。 此曲线拟合公式可在 任何给定 VDS 电压下为您提供等效的时基输出电容。 曲线拟合公式以及 输出电容公式仅在有限的 Vds 范围内有效、因为曲线拟合 在0V 以下不会变得非常复杂或误差很大。 每个 SR MOSFET 都有自己独特的 Coss_SR_T 公式。 这种集成方法对于低电压 SR FET 更准确、因为其输出电容曲线遵循更渐进 的 V^x LOG 类型曲线 、而不是高电压超级结和 GaN MOSFET 的突变特性。
我希望这澄清这两个因素。
此致、
Ulrich
