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器件型号:LMG3410
您好!
我尝试使用 GaN LMG3410子卡模块作为整流器。 但是、一旦我打开电源。 其中一个 GaN FET 烧坏了(下部模块)。 我认为这是一个制造问题、因为我将其作为 SiC 器件的交错式图腾柱进行工作、因此它们没有受到任何伤害。 是否可以修复子卡?
谢谢、
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器件型号:LMG3410
您好!
我尝试使用 GaN LMG3410子卡模块作为整流器。 但是、一旦我打开电源。 其中一个 GaN FET 烧坏了(下部模块)。 我认为这是一个制造问题、因为我将其作为 SiC 器件的交错式图腾柱进行工作、因此它们没有受到任何伤害。 是否可以修复子卡?
谢谢、
您好!
由于这是基于一个研究主题、因此我可能无法提供完整的详细原理图、但我的主题是"交错 Totempot-PFC 设计"、其中我将使用两个子卡并联。 但当我使用它时、只有一个子卡受到影响。 另一个没有受到伤害。
为了保护电压 、我使用了压敏电阻、我还使用了一个未跳闸的保险丝。 子卡连接与 TI 参考设计(ti.com/tool/TIDA-00961)相同、该参考设计还包含输入 EMI 滤波器。
由于另一张子卡没有受到伤害、我估计这是生产线问题。 如果您可以进行维修、那将会非常慷慨。
谢谢你。