您好！

TI 推荐的 FET 为 CSD87331Q3D、CSD87381P 和 CSD87588N。不过、您提到的其他 FET 也应该正常工作、但我们无法判断它们是否与该控制器无缝配合工作。一般而言，Rds-on、栅极电荷/动态开关参数、反向恢复特性是需要查看的关键参数。但是、仅基于这些数字、我们无法判断这些 FET 是否为您提供所需的性能。我建议在做出决定之前先测试以下内容。

-负载电流范围内的效率：这将指示您是否在运行点获得了效率提升。较低的 Rdson 并不意味着您将获得最佳效率。由于 Rdson FET 较低、开关损耗较高、并且通常在较低的负载电流下、与具有较高 Rdson /较低开关损耗的 FET 相比、效率较低。
-开关节点过冲测量：这应指示是否存在明显的交叉电流/击穿电流。
-热性能

但是、我已将您的请求转发给支持此器件的应用工程师、如果他对此有更多信息、他将会联系您。

此致、

Murthy

0 admin 6 年多前

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您好 Chentsu、

在 Murthy 的答复中、我要补充的唯一一点是 CSD87350Q5D/CSD87352Q5D 可用于代替 VCCGI 的 CSD87588N。 CSD87350Q5D 具有较低的 Rdson、因此在高负载下具有较高的效率、而 CSD87352Q5D 具有较低的栅极电荷、因此在轻负载下具有较高的效率、两者的电流约为15A

0 admin 6 年多前

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大家好、Kevin 和 Murthy、

非常感谢！

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] TPS65094：MOSFET 的选择