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[参考译文] CSD97396Q4M:较高输出电压和放大器下的功率损耗;自举电源。

Guru**** 2482225 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/697643/csd97396q4m-power-loss-at-higher-output-voltages-the-bootstrap-supply

器件型号:CSD97396Q4M

问题1:
查看 数据表中的标准化功率损耗与输出电压间的关系图、可以清楚地看到、该器件针对1.8V 输出电压下的运行进行了优化。
在20V 的输出电压下、它是否仍能正常工作? 我能否可靠地将标准化的功率损耗线以线性方式外推至更高的电压?
例如、对于20V 输出、标称功率损耗约为4.75、因此我不想超过大约10A 的连续电流、以免超过8W 的封装最大功率。(假设我可以适当散热)
也许我应该查看不同的器件? 简单地说、集成式 MOSFET 驱动器和匹配的 MOSFET 对于我来说非常有吸引力、因为我是一名希望简化工作的设计人员。

问题2:
在输出极少变化的情况下、我能否安全地将隔离式5V 电源反馈到 BOOT 引脚中? (因此、自举电容器充电频率不够高)

问题3:
为了充分保持自举电容器充电、最小开关频率和最小 LO 时间是多少?

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    Mark、
    感谢您发帖。 我已与一些专家联系、不久后应该会为您提供答案。

    我有一个问题、您希望输入电压是多少? 我想从理论上讲、该器件可以提供20V 的输出电压、您可以线性地推断功率损耗曲线、但也可能存在其他复杂问题、因为在最大建议输入电压(24V)下、您肯定接近85%的最大占空比。

    希望我能很快向大家介绍所有这些问题。
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    您好、Brett、

    正如您所说的那样、它是24V。 我很快得出结论、我可能只需要使用单独的栅极驱动器和 MOSFET 组合、这个 IC 对于非常具体的用途来说有点过于利基。

    标记
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    Mark、
    应用团队还询问了其他问题-这是否用于降压?

    需要注意的是、该功率级专为低占空比应用而设计、因此功率损耗效率不会大于50% DC。
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    我将通过几种方式使用它、其中一种是降压。

    从其声音中可以看到、这对于我的应用来说非常不合适、因此我将继续介绍驱动器+ MOSFET 设计。 )

    感谢你的帮助。

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    这可能是一个更好的优化(更灵活)选项。