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[参考译文] CSD18532Q5B：TI 功率 MOSFET 的结构

admin
Guru**** 2382460 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/697254/csd18532q5b-structure-of-power-mosfet-of-ti

器件型号：CSD18532Q5B

尊敬的：

我想了解 有关 TI 的处理器功率 MOSFET 的更多详细信息，特别是结构中影响寄生参数的部分。

还是有任何参考？ 谢谢！

此致、

伊斯天

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    TI__Guru**** 2382460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    “TI 的处理器功率 MOSFET”拼写错误。 我想知道的是 TI NexFET 的结构和处理结构。
    谢谢！
  • 0
    TI__Guru**** 2382460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    伊斯天
    感谢您发帖。 您所要求的某些信息可能是专有的、因此我们不想在公共论坛上披露这些信息。 我可以说、数据表中提供了寄生电容、器件是一个夹式键合(而不是引线键合)。 我们估计削波的寄生源电感为~450pH。

    如需更多信息、我建议您离线跟踪 Chris Bull。
  • 0
    TI__Guru**** 2382460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢您的详细解释！