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[参考译文] LM5116:LM5116双确认原理图

Guru**** 2578945 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5116, LM5146-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/748623/lm5116-lm5116-double-confirm-schematic

器件型号:LM5116
主题中讨论的其他器件: LM5146-Q1

尊敬的:


我们模拟 Webench LM5116,但有些不同,我们需要如下面所示对原理图进行双确认。


如有任何疑虑、请告知我。

VIN=71V-100V

Vo = 15V

IO=2A

电动踏板车电源计划

e2e.ti.com/.../7455.Sheet1-_2800_2_2900_.pdf

 

Webench 仿真:

e2e.ti.com/.../WebenchReportsServlet-LM5116.pdf


谢谢、


此致、


劳伦斯。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Lawrence、

    我建议将引导电容器增加至100nF、并且在高侧和低侧位置仅使用一个 FET (由于输出电流仅为2A、因此无需2个并联)。 此外、最好安装一个陶瓷输出电容器来传导开关频率纹波电流、因为电解电容器具有相当大的 ESR 和 ESL。 请注意、VCCX 最大工作电压为15V (绝对最大值16V)、因此输出负载瞬态的裕度很小。

    另请完成 LM5116快速入门文件(可从产品文件夹下载)并转发以供查看。

    您还可以考虑在此应用中使用 LM5146-Q1控制器、因为它具有更小的封装和更低的静态电流。

    此致、
    Tim
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    好的、感谢您的回复。

    对于高侧和低侧中使用的两个 FET,

    由于 本例中的 TI 在线 WEBENCHRegistered设计器 显示温度过高(再升高90°C),

    因此、我认为添加 MOS 将会提高。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tim

    好的、感谢您的回复。

    对于高侧和低侧中使用的两个 FET、

    由于 本例中的 TI 在线 WEBENCHRegistered设计器显示温度过高(再升高90°C),

    因此、我认为添加 MOS 将会提高。

    如有、请告知我。

    谢谢、

    此致、

    劳伦斯。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    劳伦斯

    尺寸为5 x 6mm 的 FET 应足以满足此应用的需求(这优于两个并联3 x 3mm 器件)。

    此致、
    Tim
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    您好、Tim

    我们将使用5X6mm 更改 FET 并按如下所示填充 LM5116快速启动文件。

    e2e.ti.com/.../LM5116_5F00_quickstart.xls

    如有任何建议、请告知我。

    谢谢、

    此致、

    劳伦斯。

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    谢谢、Lawrence。

    鉴于此应用中的高降压比(低占空比)、您可以在高侧位置使用较高的 RDS (on) FET、从而降低开关损耗。

    此致、
    Tim