[参考译文] UCC27714：高速4A 600V 高侧/低侧栅极驱动器。 HO 和 LO 同时打开、尽管时间较大、但不重叠。

您好、Basem、

在我得出有关此电路的任何结论之前、我有几个澄清问题要问。

• 在原理图中 VDD = 12V，但在示波器图中 HO 大于18V，这是正确的？ 请注意、UCC27714的建议最大 VDD 电压为17V。
• 将两个不同栅极驱动器的输出与不同的传播延迟参数相连接的目的是什么？ 请注意、LM5101具有大约25ns 的传播延迟、UCC27714具有大约95ns 的传播延迟、因此如果并联连接、输出将争用、这可能会损坏栅极驱动器。
• 省略栅极驱动电阻器的原因是什么？ 尤其是在将两个不同的驱动器连接在一起时、由于在40kHz 下驱动10个65nC 并联 MOSFET、在每个输出已耗散的0.5W 之上、竞争将在驱动器中消耗相当大的功率。
• JP1、JP2、JP3、JP4、JP5、 和 JP6？

此致、

您好、Basem、

我们听到您的声音已经有一段时间了、因此我们必须假设您已经解决了您的问题。

如果可能、请发布解决方法、以便其他人从中学习。

如果没有、请告知我们、我们将与您一起解决该问题。

尊敬的 Derek
感谢您的回答。
1.不确定示波器显示18V 的原因、但电压应为12V。 我需要检查这一点、也许我有错误的稳压器。
2.仅在电路板上使用 UCC27714 LM5101未组装、自我开始使用 LM5101并最近切换至 UCC27714以来、该器件可用于备份。
3.我不确定“栅极驱动电阻器”是什么意思？ 我是否缺少电阻器？
跳线和用于调试和探测。 如果晶体管损坏、我可以通过适当地更改跳线的位置来找出。 您是否建议采用不同的方法？

很抱歉、回复延迟、但直到昨天才收到有关此问题的电子邮件。 我等了你的回复。 感谢你的帮助。

谢谢

Basem。

您好、Basem、

抱歉、我们未能就此与您联系。 您是否已解决此问题、或者您是否仍需要帮助？

你(们)好。
我仍然需要这方面的帮助。 尚未解决。。。

谢谢

Basem。

Basem、您好！

我是为 UCC27714提供支持的应用工程师、我将努力解决您的问题。

我查看了您之前所附的原理图、并对半桥中的功率器件提出了一些问题/意见。 对于高侧和低侧开关、并联显示了10个 IBP117N20NFD 器件。 所有并联器件的总电荷都相当高。 对于 高侧和低侧开关(每组)、Qg 在10V Vgs 时为650nC、总输出电荷为1620nC、体二极管反向恢复电荷为6290nC。

我提到了上述内容、因为功率器件开关节点的开关时间可能会很慢、具体取决于流入开关节点的电流、该电流决定了 dV/dt 以及开关节点电容。

对于第二个示波器图、您能否确认 HO 波形是否与 HO 探针接地、还是与差分探针连接的 HO-HS 波形图？

您能否在原理图上确认以下几点：HO 和/或 LO 输出与 MOSFET 栅极之间是否存在电阻？ 您能否确认原理图中显示的 C5、C11和 C12的值？

我将回顾 C5、C11和 C12的值、因为 与 MOSFET 的栅极电荷和 C5 VDD 电容相比、C12 HB-HS 电容器看起来非常大、我们建议使用10倍 HB-HS 电容。 HB-HS 电容非常大的缺点是、您需要确保电容器在初始 LO 导通时间周期期间能够完全充电。 大 HB 电容会增加该充电时间。

基于650nC 的 MOSFET 总电荷并使用第9.2.2节中的 UCC27712数据表指导。

根据示波器图、开关周期为~250us 或 Fsw 为4kHz。

因此 Qtotal = 650nC + 120uA/4000 = 680nC、CBoot = Qtotal/delta VBoot。 使用1V 作为可接受的 Δ Vboot 会导致 Cboot 为680nF。 如果引导电容器以4kHz 重复率充电、则1uF C12应足以用于自举。

您能否提供以下图表来确认驾驶员和动力总成的工作情况。

缩放时间刻度以获得有关计时的更多详细信息。 每分段小于50us、捕获完整 的开关周期以及打开和关闭 开关事件。

捕捉：Ho-HS 差分探头、HS 接地、 HI 接地、LI 接地。 第二组设置：HO 接地、HB 接地、HS 接地和 HI 接地。

此致、

Richard Herring  

你(们)好 Richard。

感谢您的帮助、以及这项梦想中的拯救服务。

我有几个问题要澄清一些计算方法。
当您说：10V Vgs 时，总 Qg 为650nC 时：这意味着在10V Vgs 时需要为 Vgs 电容充电650nC？
您是如何获得此数字的：总输出电荷为1620nC？
体二极管反向恢复电荷为6290nC：这是 MOSFET VG 电容器从10V 放电至0所需的电荷量吗？
对基本问题表示歉意。 请跟我一起裸机。

您的问题答案：
原理图中存在错误、C12与 C11相同。
C5：多层陶瓷电容器 MLCC - SMD/SMT 1206 X5R 25V 10uF
C11：多层陶瓷电容器 MLCC - SMD/SMT 25V 0.47uF X7R 10%
C12：多层陶瓷电容器 MLCC - SMD/SMT 25V 0.47uF X7R 10%


LO 至接地或 LO 至 MOSFET 之间没有连接电阻器。
HO 与地之间或 HO 与 MOSFET 之间没有连接电阻器。

请给我一点时间、我将处理这些图。

谢谢

Basem。


如果这些是基本问题，我会道歉。

第二个波形图是从 HO 到地面的波形图。 遗憾的是、我没有差分探针。

您好、Basem、

感谢您的友好话语！

我们听到您的声音已经有一段时间了、因此我们必须假设您已经解决了您的问题。

如果可能、请发布解决方法、以便其他人从中学习。

如果您的问题未得到解决、请告知我们、我们将与您一起解决。

你(们)好 我仍然有问题。 Richard 只是提出了一些问题、我要求做一些澄清。 这就是我们目前所处的位置。 我仍然需要一些支持。
谢谢

Basem、您好！
请允许我回答您在本邮件开头提出的问题。
MOSFET 数据表将每个器件的总 Qg 或 Vgs 0至10V 范围内的栅极电荷指定为65nC、这是将 Vgs 从0升至10V 所需的总电荷。 这包括 Ciss 和 CRSS (漏极到栅极)电容。 由于并联显示了10个器件、因此总电荷变为650nC。

在确定自举电容器的大小时、总电荷非常重要、以确保您可以在 HB 至 HS 偏置电容器上为 MOSFET 充电、而不会产生过多的压降。 我认为 C11和 C12的0.47uF x 2组合应该足够了。

总输出电荷是不同的、因为它基于漏源极电容、驱动器不必提供该能量、但由于它太高、我预计它可能会导致动力总成的开关速度变慢。
体二极管反向恢复电荷是指储存在体二极管中的电荷量、需要"提取"以关闭体二极管。 栅极驱动器也不提供该能量。 总输出电荷和体二极管充电能量将对动力总成运行产生影响、主要影响动力总成开关节点的压摆率。

我之所以要查看以下各图、是因为我们需要查看栅极驱动输入和输出以及动力总成在做什么。
MOSFET Vgs 很可能在预期的时间进行开关、而动力总成开关节点在预期的时间内不会下降。

您能否提供以下图表来确认驾驶员和动力总成的工作情况。

缩放时间刻度以获得有关计时的更多详细信息。 每分段小于50us、捕获完整的开关周期以及打开和关闭开关事件。

捕捉：Ho-HS 差分探头、HS 接地、HI 接地、LI 接地。 第二组设置：HO 接地、HB 接地、HS 接地和 HI 接地

此致、
Richard Herring

您好、Basem、

您是否解决了您的问题、我是否也遇到了同样的问题。

Basem、您好！
我之前回答过、但我在主题中看不到我的消息、我不确定该消息发生了什么情况。

回答的问题。
C11和 C12的值均为0.47uF、足以应对650nC 的总栅极电荷。
对于自举电容器、自举电容器中需要有足够的电荷来为 MOSFET 总 Qg 充电、并且不会导致自举电容器上的压降过大。 使用650nC 总栅极电荷时、650nF 的 bootsrap 电容器将导致1V 压降、从而在0V 至10V 的范围内为 Qg 充电。 Qg 通常在 MOSFET 上指定10V Vgs。
1620nC 的总输出电荷是漏源极电容中的电荷、该电荷不是由栅极驱动器提供。 该电荷来自动力总成大容量电容。 此输出电荷将影响动力传动系统中的漏源电压压压摆率。
此外、体二极管电荷不由栅极驱动器提供、也来自动力总成。 当导通高侧 MOSFET 且低侧体二极管导通时、高侧 MOSFET 需要为体二极管恢复提供能量。 这可能导致高初始 MOSFET 漏源电流、因为高侧 FET 导通、而低侧的体二极管尚未关断。

为了确认波形的时序是否与驱动器行为或动力总成相关、您能否提供下面请求的图？

我们需要确认哪些驱动器输出波形与驱动器输入相关、以及传动开关节点相对于驱动器输出所做的工作。

缩放时间刻度以获得有关计时的更多详细信息。 每分段小于50us、捕获完整的开关周期以及打开和关闭开关事件。

捕捉：Ho-HS 差分探头、HS 接地、HI 接地、LI 接地。 第二组设置：HO 接地、HB 接地、HS 接地和 HI 接地。

如果您已解决问题。 请通过在此主题上发布进行确认。

此致、
Richard Herring

我正在努力获取图。  

我使用的电池出现问题。 正在进行更换。 我应该在接下来的几周内获得图。  

希望能早点结束、这样我就可以结束。  

感谢你的帮助。