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[参考译文] TPS22975：TPS22975上升时间计算请求

admin
Guru**** 2538930 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS22975

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/749015/tps22975-tps22975-rising-time-calculate-request

器件型号：TPS22975

你(们)好

    我需要可调节上升时间。  TPS22975数据表 P.15 Vout 上升时间公式 为 Vbias =5V。

     SR = 0.43 * CT + 26  

但我的 Vbias = 3.3V。

     如何 计算压摆率？  相同 的计算公式?  

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    TI__Guru**** 2538930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Kerr、

    感谢您与 E2E 联系！

    当 Vbias 为3.3V 时、我需要查看我们的数据以向您提供方程式。 我们在数据表中使用的公式提供了上升时间的一般估算值。 当 Vbias 为3.3V 时、我预计上升时间会略快于数据表中的公式。

    谢谢、
    黄亚瑟
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    TI__Guru**** 2538930 points
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    尊敬的 Kerr Chang：

    对于 TPS22975、我们没有获取 VBIAS=3.3V 的数据、但作为估算、我使用了 VBIAS=5V 和 VBIAS=2.5V 数据来得出 VBIAS=3.3V 的以下等式：

    VIN=3.3V：TR (us)=2.14 x CT (pF)+136

    VIN=2.5V：TR (us)= 1.65 x CT (pF)+ 110

    VIN=1.8V：TR (us)=1.23 x CT (pF)+88

    VIN=1.05V：TR (us)=0.773 x CT (pF)+63.9

    同样、请注意、这些参数对于估算很好、但过程和温度变化可能会导致与方程的某些偏差。

    谢谢、

    Alek Kaknevicius

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    TI__Guru**** 2538930 points
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    您好、Alek、
    此外、当 Vin=Vbias =Von=3.3V 时、请帮助提供 Ton 的时间计算方法、非常感谢。
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    TI__Guru**** 2538930 points
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    您好、Alek、

    我是否可以知道这些方程的容差是多少？

    谢谢
    请求
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    TI__Guru**** 2538930 points
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    Joey 和 Shaq、您好！

    由于 Ton 不会影响负载开关的时序特性、因此您可以使用上面 Alek 提供的公式来计算上升时间：VIN=3.3V：TR (us)= 2.14 x CT (pF)+ 136

    关于这些方程的容差、您期望的精度是什么类型(例如：25%、50%)？ 该上升时间是否需要在整个温度范围内保持准确？

    我刚刚查看了我们在5个器件上获取的一些实验室数据、在-40C 至105C 的温度范围内、我们看到的最大偏差为10%。 但是、我们无法保证偏差不会更大、因为有许多因素会影响上升时间(器件变化、温度、CT 电容器变化、电路板布局)。

    谢谢、

    黄亚瑟

    要查找有关电源开关的最新信息、请访问 www.ti.com/powerswitch

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    TI__Guru**** 2538930 points
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    尊敬的 Arthur：

    打开和关闭时的传播延迟是多少？
    客户希望计算尽可能准确。

    谢谢
    请求
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    TI__Guru**** 2538930 points
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    您好、Shaq、

    我们通常不会为每个 VBIAS / VIN 条件规定延迟、但我们能够从特征评定数据中提取一些信息。 请在下面找到显示整个 CT 的延迟时间的图表：

     CT VIN = 3.3V
    0pF 75
    220pF 215.
    470pF 3334
    1000pF 552.
    2200pF 1088
    4700pF 2048
    10000pF 4531.

    使用此数据、可使用以下公式推断 TD 时间(对于 CT > 0pF)：

    VIN=3.3V：TD = 0.438 x CT (pF)+ 104.4

    谢谢、

    黄亚瑟

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    TI__Guru**** 2538930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Arthur：

    客户测试其 PCB 上的延迟时间。

    结果如下：

    根据 TD 方程式。

    VIN=3.3V：TD = 0.438 x CT (pF)+ 104.4 = 0.438 x 3300pF + 104.4 = 1549.8us。= 1.549ms。

    考虑电容器(+-10%)/高温(-12%)/方程 (+-10%)的变化。

    最坏情况计算为1.863ms (最大值)

    但实际测量 TD 为2.48ms。

    客户想知道为什么这种变化如此之大。

    谢谢

    请求

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    TI__Guru**** 2538930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Shaq、

    感谢您提供更多详细信息。 负载开关的延迟时间也会受到负载电阻和负载电容的影响。 如果输出电阻较大、则需要更多的栅极驱动器、直至输出电压开始上升。 如需参考、 请参阅我们应用手册"负载开关时序"的第2.2和2.3节、了解更多详细信息。

    您是否能够在 EVM 上尝试类似的配置？ 您在那里看到了什么延时时间？

    谢谢、

    黄亚瑟