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器件型号：UCC28780 主题中讨论的其他器件：UCC24612、
您好！
我正在努力使用 UCC28780和3GaN 作为开关组件(HS、LS 和 SR)来实现尽可能高的效率。 在我找到的大多数 EVM (
)中、初级侧使用2个 GaN、一个 MOSFET 作为 SR。 由于我的输出电压为5V、因此我认为直接从输出驱动 GaN 比 使用额外的绕组来驱动 MOSFET 更理想(我将使用 UCC24612、如 EVM 中所示)。 您是否看到没有任何理由不将 GaN 用作 SR？ 目前、我在整个输入范围内实现良好效率方面存在一些问题、这可能不建议这么做。 对于低输入电压、一切似乎都正常(V BULK < 130V)、但提高电压效率的同时、由于开关损耗增加、线路压降更少。 此外、当引脚设置为接地时、HS GaN 中的开关损耗会增加(在 VDS 较高时接通)、但当我尝试将引脚设置为 Vref 时、HS 的开关损耗可以、但会迁移到 SR。 我尝试了很多组件组合、但没有积极的结果。 大多数时间、我都是基于您的 Excel 计算器。 我决定选择不带集成驱动器的 GaN、驱动器电路是单独完成的、因此这是与您的 EVM 相比的主要差异。
此致
Darek
