• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 4 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 304 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] bq24640：MOSFET 选择

admin
Guru**** 2510095 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24640, BQ24640EVM

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/730482/bq24640-mosfet-selection

器件型号：bq24640

条件：

器件：bq24640

输入电压：12V

输出电压：2.7V

电荷：1A

 我们在超级电容器应用中使用 FDD3642与 bq24640一起执行充电功能。 但是、充电电流被限制在几 mA。 在检查了 ID 与 Vgs 特性之后。 Vgs=4V 看起来不适用于该器件、因为它未完全导通。

我们尝试 在客户系统板上使用 bq24640EVM 的 MOSFET (SiR426DP)、 充电器功能为1A 是可以的。 但是、我们还尝试使用 与 FDD8447L 类似的 SiR426器件。 它不适用于充电器。 从 ID 与 Vgs 特征来看、它看起来不错。我不知道为什么？ MOSFET 的哪些关键参数 也可以改善这一问题？ 如何正确选择 MOSFET？ 非常感谢。

FDD8447L


 

 

  SiR426DP


 

FDD3642


 

  • 0
    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您是否在 bq24640 EVM 上试用过 FDD8447L？它是否正常工作？ 谢谢！
  • 0
    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我们已经有一段时间没有听到您的反馈，该线程被视为已解决并已关闭。 谢谢！
    如果此帖子回答了您的问题、请单击"此问题已解决"按钮。
  • 0
    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    当 FDD8447 MOSFET 构建在 EVM 上时、充电器也可以。

    2.当 FDD8447 MOSFET 构建在具有10欧姆自举电阻器的客户电路板上时，充电器电流可高达1A。  

    当自举电阻器的电阻值为5 Ω 时、充电电流最高只能为0.7A。

    您能评论一下自举电阻器值设计吗？ 10欧姆是否适用于该设计？ 副作用是什么？

    此致、

    Brian

  • 0
    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Brian、

    自举电阻器将降低 MOSFET 开关速度。 因此自举电阻器不能过大。 BQ24640 EVM 使用4.7欧姆自举电阻器。

    您能否仔细检查电路板布局、尤其是感应电阻器布局？ 请参阅10.2布局和图16。 有关详细信息、请参阅 d/s 上的感应电阻器 PCB 布局。

    谢谢、

    宁
    如果此帖子回答了您的问题、请单击"此问题已解决"按钮。