• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 3 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 91 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5050-1：栅极控制电路问题

admin
Guru**** 2504475 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/728834/lm5050-1-gate-control-circuit-question

器件型号：LM5050-1

您好专家、

我的客户要求进行以下电路操作。 我们可以知道、2A MOSFET 在两种情况下将栅极和源极连接在一起、一种是关断引脚高电平、另一种是发生反向电流。 但对于35uA/30uA/30mV/2个 BJT、我们是否可以知道它在以下电路中的工作原理？ 非常感谢！！

此致、

Ann Lien

  • 0
    TI__Guru**** 2504475 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Ann、

    方框图中突出显示的部分显示了执行将正向压降调节至22mV 工作的放大器。
    该放大器测量外部 MOSFET 上的 VDS 压降、并使用30uA 的拉电流控制栅极电压。

    为了在外部 MOSFET 的 VDS 上保持22mV 的电压、需要控制栅极电压。 例如、对于2.2m Ω FET (Vgs 4.5V 时的数据表规格)、在10A 时、栅极电压将为4.5V。 对于高于10A 的电流、MOSFET Vgs 与 Rdson 特性上的栅极电压将增大。
    对于低于10A 的电流、栅极电压将根据 MOSFET 特性降低。

    请告诉我这是否能解答您的问题。

    此致、
    Kari。
  • 0
    TI__Guru**** 2504475 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Kalikalan、

    感谢您的帮助！！ 我可以再问一个有关30mV 的问题吗？ 30mV 的用途是什么？ 非常感谢！！

    此致、
    Ann Lien
  • 0
    TI__Guru**** 2504475 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Ann Lien：

    30mV 指的是源漏的22mV 正向稳压。
    -8mV 是内部放大器的偏移、因此30-8mV 是22mV。

    此致、
    Kari。