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[参考译文] CSD16325Q5C：CSD16325Q5C

admin
Guru**** 2564565 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD16325Q5

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/745908/csd16325q5c-csd16325q5c

器件型号：CSD16325Q5C

您好！

我将在我的多个降压直流/直流转换器中使用此 FET (尤其是在1V 至2.5V 输出下)。

最近、TI 宣布其为 EOL。 TI 发布的 PCN 不建议进行任何替换。

您能否建议我使用具有相同封装以及 类似漏极至源极导通电阻(电压和电流并不重要)的另一个 FET。

此致、

梅纳哈姆

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    TI__Guru**** 2564565 points
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    您好、Menachem、
    感谢您关注 TI MOSFET 产品。 建议使用 CSD16325Q5进行替换。 它是具有相同引脚排列和使用相同硅片的直接替代产品。 但是、该封装是一种标准 QFN 封装、顶部没有暴露的金属(即它不是双冷却)。
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    TI__Guru**** 2564565 points
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    大家好、我已经在使用机械(带有散热垫和凸起)连接到 csd16325q5c 顶部(基于顶部暴露的金属)。 由于您建议使用 csd16325q5作为底部暴露金属的替换件-我在这里遇到了问题。
    在 csd16325q5c 数据表中、顶部=1.4且外壳底部=1对应热阻结至外壳参数、而在 csd16325q5数据表中、仅热阻结至外壳=1。 我可以假设 csd16325q5的这个参数与底部的外壳相关。
    我的问题：对于 csd16325q5、顶部的热阻结至外壳参数是什么？
    此致、
    梅纳哈姆
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    TI__Guru**** 2564565 points
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    您好、Menachem、
    请查看以下博客：
    e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-6-thermal-impedance
    e2e.ti.com/.../optimized-thermal-design-for-three-phase-motor-drives-in-power-tools-part-1

    在第二个博客中、对于这种没有暴露的顶部金属的封装、它估计 RϴJT μ W 通常约为12-15 oC/W。 如果您有其他问题、请查看并告知我。